Đề kiểm tra giữa học kỳ môn Vật lý bán dẫn năm 2014 - Mã đề 0501 - Đại học Bách khoa thành phố Hồ Chí Minh
ĐHQG TpHCM–ĐHBK
Khoa Điện-ĐT–Bộ môn Điện Tử
Đề kiểm tra giữa HK – Môn: Vật lý bán dẫn
Ngày kiểm tra: 13/10/2014 – Thời gian làm bài: 50 phút.
Sinh viên không được sử dụng tài liệu và bắt buộc phải nộp lại đề cùng tờ trả lời TN.
Họ và tên SV:
MSSV:
Mã số môn học: EE1007
Mã số đề thi: 0501
Các hằng số được sử dụng trong các câu hỏi:
k = hằng số Boltzman=8.62 x 10-5 eV/oK
q = điện tích điện tử = 1.6 x 10-19 C
Trích bảng phân loại tuần hoàn:
• Nhóm 3: B, Al, Ga, In
• Nhóm 4: C, Si, Ge, Sn, Pb
• Nhóm 5: N, P, As, Sb
S = hằng số điện môi của Si = 11.9 x 8.85 x 10-14 F/cm
VT = kT/q = 0.025V ở T=300oK
ni = nđhdnt của bán dẫn Si = 1010 cm–3 ở T=300oK
Độ linh động (Si): n = 1350 cm2/Vs, p = 450 cm2/Vs
Chú ý:
• ĐS là viết tắt của “đáp số”.
• Qui ước:
o Với phương trình dòng diode nếu không cho trị số của thì hiểu ngầm = 1.
o Không ghi nhiệt độ đang xét thì T=300oK.
o Chuyển tiếp PN trong đề là loại chuyển tiếp bước.
o Với bài toán nồng độ, khi X/Y > 100 thì xem như X >>Y
Câu 1): Dụng cụ bán dẫn BJT được chế tạo từ
a) chuyển tiếp M-S
d) cấu trúc MOS
b) chuyển tiếp P-N
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) chuyển tiếp dị thể
Ans.B
Câu 2): MESFET được chế tạo từ
a) chuyển tiếp M-S
d) cấu trúc MOS
b) chuyển tiếp P-N
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) chuyển tiếp dị thể
Ans.A
Câu 3): Một trong các xu hướng chính của công nghệ IC bán dẫn là
a) thay Si bằng Ge
d) tăng nguồn cấp điện
b) thay MOSFET bằng BJT
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) tăng mật độ tích hợp
Ans.C
Câu 4): Xét bán dẫn có Eg = 1.55eV, để cho bán dẫn này có thể hấp thu ánh sáng thì photon
phải có bước sóng là
a) 750 nm
d) 900 nm
b) 800 nm
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) 850 nm
Ans.D
Câu 5): Với hình 1, ta có giản đồ năng lượng (b) là của
a) bán dẫn nội tại
d) bán dẫn loại P
b) bán dẫn suy biến
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) bán dẫn loại N
Ans.C
Câu 6): Với hình 2.(a), mặt phẳng được tô đen nhạt có hướng tinh thể là
a) [110] b) [101] c) [011] d) [121] e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.B
VLBD_AY1415-S2_KTGHK–Đề số 1 – Trang 1 / 4
Câu 7): Xét bán dẫn thuần Si, để có được bán dẫn loại N người ta có thể pha tạp chất là
a) B
b) Ga
c) Sb
d) C
e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.C
Câu 8): Khi ta nung nóng bán dẫn thuần thì
a) nó trở thành kim loại b) cấu trúc nguyên tử của nó bị phá vỡ c) điện trở của nó tăng
d) điện trở của nó giảm e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.D
Câu 9): Trong bán dẫn loại P, hạt dẫn đa số là
a) ion dương
b) điện tử
c) lỗ
d) ion âm
Ans.C
Câu 10): Trong LED (diode phát quang), người ta thường dùng vật liệu:
a) Si
b) GaAs
c) SiC
d) GaP
e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.B
Câu 11): Trong bán dẫn loại P chỉ có một loại tạp chất acceptor. Khi tăng nồng độ tạp chất
thì thế Fermi F sẽ:
a) bằng 0
b) không đổi
c) âm hơn
d) dương hơn
e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.D
Câu 12): Ở nhiệt độ phòng, ta thêm các tạp chất vào vật liệu bán dẫn sẽ không ảnh hưởng
a) nồng độ hạt dẫn n và p
d) nồng độ tạp chất bị ion hóa
b) nồng độ hạt dẫn nội tại
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) mức Fermi
Ans.B
Câu 13): Xét mẫu bán dẫn Si được pha 1x1015 cm–3 nguyên tử Boron(B) và 3.5x1015 cm–3
nguyên tử Arsenic (As). Bán dẫn có được là bán dẫn loại
a) P với p = 1.5x1015 cm–3
d) N với n = 2.5x1015 cm–3
b) P với p = 2.5x105 cm–3
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) N với n = 1.5x1015 cm–3
Ans.D
Câu 14): Một mẫu bán dẫn Si được pha tạp chất với nồng độ 4x1015/cm3 nguyên tử Ga và
nồng độ 2x1015/cm3 nguyên tử As. Khi đó nồng độ điện tử n và nồng độ lỗ p (đơn vị: cm-3):
a) n=4x1015 và p=2x105
b) n=2x1015 và p=4x105
c) n=0.5x105 và p=2x1015
d) n=2x1015 và p=0.5x105 e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.C
Câu 15): Yếu tố nào sau đây không làm ảnh hưởng dòng điện trôi trong bán dẫn:
a) nồng độ hạt dẫn
d) độ linh động
b) điện trường
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) gradient nồng độ hạt dẫn
Ans.C
Câu 16): Một mẫu bán dẫn Si loại N (được pha tạp chất đều và chỉ có 1 loại tạp chất) có điện
trở suất là 5 .cm. Nếu bỏ qua đóng góp của lỗ vào sự dẫn điện, nồng độ tạp chất là:
a) 6.34x1014 cm–3
d) 9.26x1014 cm–3
b) 7.13x1014 cm–3
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) 8.45x1014 cm–3
Ans.D
Câu 17): Độ linh động của điện tử _________ độ linh động của lỗ trong bán dẫn thuần
a) bằng b) lớn hơn c) nhỏ hơn d) gấp đôi e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.B
Câu 18): Khi tăng nồng độ tạp chất trong bán dẫn thì độ linh động của hạt dẫn sẽ
a) không đổi b) giảm c) tăng d) không biết e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.C
VLBD_AY1415-S2_KTGHK–Đề số 1 – Trang 2 / 4
Câu 19): Người ta áp đặt điện trường E = 2.5x103V/cm vào mẫu bán dẫn (không có gradient
nồng độ hạt dẫn) thì thấy điện tử có vận tốc trôi là 3x106cm/s. Khi đó trong bán dẫn điện tử
có độ linh động µn là:
a) 1200 cm2/Vs
b) 1400 cm2/Vs
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) 1600 cm2/Vs
d) 1800 cm2/Vs
Ans.A
Câu 20): Người ta áp đặt điện trường E = 2.5x103V/cm vào mẫu bán dẫn (không có gradient
nồng độ hạt dẫn) thì thấy điện tử có vận tốc trôi là 3x106cm/s. Khi đó trong bán dẫn này hệ
số khuếch tán Dn có trị số là:
a) 40 cm2/s
b) 35cm2/s
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) 30 cm2/s
d) 25 cm2/s
Ans.C
Câu 21): Cho trước 2 mẫu bán dẫn thuần (cùng vật liệu) có kích thước giống nhau: X và Y.
Người ta pha 6x1016cm–3 tạp chất Boron (B) vào mẫu A và pha 2x1016 cm–3 tạp chất
Phosphorous(P) vào mẫu B. Nếu tỉ số của µn/µp = 5 thì tỉ số độ dẫn điện của mẫu X so với
mẫu Y X/Y là:
a) 2/5
d) 5/2
b) 3/5
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) 5/3
Ans. B
Câu 22): Một thanh bán dẫn Si loại N (hình 3) có pha tạp chất donor ND= 4x1015 cm–3 và có
kích thước L = 2 cm, H = 0.1cm và W=0.5cm. Khi đó thanh này có điện trở xấp xỉ là: (giả sử
ta cho nồng độ hạt dẫn thiểu số bằng không)
a) 125
d) 50
b) 100
e) cả 4 ĐS trên đều sai
c) 75
Ans.D
Câu 23): Tái hợp (điện tử-lỗ) có bức xạ xảy ra trong vật liệu:
a) Si
b) GaAs
c) Al
d) Fe
e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.B
Câu 24): Xét bán dẫn trực tiếp loại N có nn0 = 1014cm–3 và p = 2µs, với bơm mức thấp làm
cho pn = 5x106cm–3, khi đó tốc độ tái hợp là:
a) 5x1012 cm–3s–1
Ans.D
Câu 25): Phương trình liên tục cho điện tử có dạng sau:
b) 4x1012 cm–3s–1 c) 3x1012 cm–3s–1
d) 2x1012 cm–3s–1
dJ
n
1
p
a)
b)
c)
d)
G R
G R
G R
G R
t q dx
n
t
1 dJn
q dx
n 1 dJn
t q dx
n
t
dJn
q
dx
e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans. C
VLBD_AY1415-S2_KTGHK–Đề số 1 – Trang 3 / 4
❖ Các hình vẽ trong đề:
Hình 1. Giản đồ năng lượng của một số bán dẫn.
Hình 2. Một số mặt phẳng trong tinh thể.
Hình 3
GV ra đề
Hồ Trung Mỹ
VLBD_AY1415-S2_KTGHK–Đề số 1 – Trang 4 / 4
4 trang
27640
Free
Bạn đang xem tài liệu "Đề kiểm tra giữa học kỳ môn Vật lý bán dẫn năm 2014 - Mã đề 0501 - Đại học Bách khoa thành phố Hồ Chí Minh", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên
File đính kèm:
- de_kiem_tra_giua_hoc_ky_mon_vat_ly_ban_dan_nam_2014_ma_de_05.doc
