›
›

Đề thi giữa kỳ môn Vi xử lý - Ngày thi: 04/04/2011 - Lê Chí Thông

Download
Đại Học Bách Khoa TP.HCM – Khoa Điện-Điện Tử - Bộ Môn Điện Tử  
Chữ ký giám thị  
ĐỀ THI GIỮA KỲ - Ngày thi: 04/04/2011  
MÔN: VI XỬ LÝ - MSMH: 402030  
Điểm  
Thời gian làm bài: 80 phút – Được sử dụng tài liệu  
Làm bài ngay trên đề thi – Đề thi bao gồm 6 câu  
Họ và tên: ………………………………………….. MSSV: …………………….. Nhóm: ………..  
Bộ môn Điện tử  
Người ra đề  
Lê Chí Thông  
Hồ Trung Mỹ  
Câu 1: (1 đ)  
Cho một bộ RAM có 8 đường địa chỉ và 4 đường dữ liệu.  
a. Hãy cho biết kích thước của Ram này? (0,5 đ)  
Đáp số  
Giải thích (ngắn gọn):  
b. Cần bao nhiêu bộ RAM như vậy để tạo ra một bộ RAM có kích thước 64 K × 8? (0,5 đ)  
Đáp số  
Giải thích (ngắn gọn):  
Câu 2: (2 đ) Cho mạch giải mã địa chỉ dùng 74138 (decoder 3 sang 8) như sau (A là LSB)  
A13  
A14  
A15  
1
2
3
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
A
B
C
Y0  
Y1  
Y2  
Y3  
Y4  
Y5  
Y6  
Y7  
A18  
A19  
6
4
5
G1  
G2A  
G2B  
A16  
A17  
7
74LS138  
Trang 1 / 4  
Đại Học Bách Khoa TP.HCM – Khoa Điện-Điện Tử - Bộ Môn Điện Tử  
a. Hãy xác định vùng địa chỉ của các ngõ ra /Yi (i: từ 0 đến 7)? (1 đ)  
A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 …… A0  
Vùng địa chỉ của /Yi  
/Y0:  
/Y1:  
/Y2:  
/Y3:  
/Y4:  
/Y5:  
/Y6:  
/Y7:  
b. Sử dụng mạch giải mã địa chỉ trên và thêm các cổng logic, hãy tạo ra tín hiệu chọn chip  
/CS0, /CS1 và /CS2 cho các bộ nhớ có dung lượng tương ứng là 8 KB, 16KB và 4KB (Giải mã  
đầy đủ). Biết rằng các địa chỉ của các tín hiệu chọn chip này liên tiếp nhau và có địa chỉ đầu là  
địa chỉ đầu của /Y2. Vẽ trực tiếp vào sơ đồ mạch đã cho và xác định vùng địa chỉ của /CS0,  
/CS1 và /CS2. (1 đ)  
/CS0  
/CS1  
/CS2  
Câu 3: (1,5 đ) Cho đoạn chương trình sau:  
LD  
LD  
LD  
SP, 4000H  
BC, 1234H  
DE, 5678H  
PUSH BC  
PUSH DE  
LD  
BC, 2010H  
LD  
DE, 0FFFH  
POP  
POP  
BC  
DE  
a. Hãy cho biết nội dung của các ô nhớ có địa chỉ từ 3FFCH đến 3FFFH sau khi thực thi lệnh  
PUSH DE trong chương trình con?  
3FFCH  
3FFDH  
3FFEH  
3FFFH  
Giải thích (ngắn gọn):  
b. Hãy cho biết nội dung của thanh ghi SP, BC và DE sau khi thực thi chương trình con?  
SP  
BC  
DE  
Giải thích (ngắn gọn):  
Trang 2 / 4  
Đại Học Bách Khoa TP.HCM – Khoa Điện-Điện Tử - Bộ Môn Điện Tử  
Câu 4: (3 đ) Thực hiện bằng hợp ngữ Z80. Cho một chuỗi dữ liệu là gồm 100 số không dấu 8 bit  
chứa trong bộ nhớ, có địa chỉ bắt đầu là 2000H.  
a. Viết chương trình lần lượt xuất các số chẵn trong chuỗi này ra ngoại vi tại địa chỉ 02H và  
xuất các số lẻ ra ngoại vi tại địa chỉ 03H. (1,5 đ)  
b. Viết chương trình tính tổng các số lẻ của của chuỗi này và cất kết quả (là số không dấu 16  
bit) vào hai ô nhớ có địa chỉ là 1FFEH và 1FFFH (byte thấp cất vào ô nhớ địa chỉ thấp)  
(1,5đ)  
Câu 5: (1,5 đ) Viết chương trình so sánh hai số 16 bit x và y; x chứa tại hai ô nhớ có địa chỉ 2000H  
và 2001H, y chứa tại hai ô nhớ có địa chỉ 2002H và 2003H (byte thấp ở địa chỉ thấp). Nếu x > y thì  
tạo Z=1, ngược lại tạo Z=0.  
Trang 3 / 4  
Đại Học Bách Khoa TP.HCM – Khoa Điện-Điện Tử - Bộ Môn Điện Tử  
Câu 6: (2 đ) Thực hiện bằng hợp ngữ Z80. Giả sử kit Z80 có hai LED 7 đoạn, lần lượt có các địa  
chỉ ngoại vi là 0AH và 0BH, được dùng để hiển thị hai ký số (digit) hàng chục và hàng đơn vị.  
a. Viết chương trình con mang tên OUT_LED có nhiệm vụ lấy giá trị BCD nén (packed BCD)  
cất tại ô nhớ có địa chỉ là nhãn BCD_RESULT. Biết rằng cho sẵn chương trình con  
BCD2LED nhận vào mã BCD 4 bit trong thanh ghi A, và trả ra mã LED 7 đoạn trong thanh  
ghi A.  
b. Viết chương trình tính tổng hai số BCD nén chứa tại hai ô nhớ có địa chỉ là nhãn BCD1 và  
BCD2. Kết quả (giả sử < 100) được cất vào ô nhớ có địa chỉ là nhãn BCD_RESULT.  
Trang 4 / 4  
pdf 4 trang myanh 26760 Free
Download
Bạn đang xem tài liệu "Đề thi giữa kỳ môn Vi xử lý - Ngày thi: 04/04/2011 - Lê Chí Thông", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

File đính kèm:

  • pdfde_thi_giua_ky_mon_vi_xu_ly_ngay_thi_04042011_le_chi_thong.pdf