Nghiên cứu và điều khiển bộ biến đổi DC/DC tăng áp ứng dụng cho pin năng lượng mặt

NGHIÊN CỨU VÀ ĐIỀU KHIỂN BỘ BIẾN ĐỔI DC/DC TĂNG ÁP ỨNG  
DỤNG CHO PIN NĂNG LƯỢNG MẶT  
RESEARCH AND CONTROL BOOST DC/DC CONVERTERS FOR SOLAR  
CELL APPLICATIONS  
Trần Văn Diễn  
Trường đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM  
TÓM TẮT  
Ngày nay, nhu cầu sử dụng năng lượng, đặc biệt là điện năng ngày càng cao. Trong các  
nguồn năng lượng con người đã và đang sử dụng, những nguồn năng lượng về sức gió, thủy  
triều, năng lượng mặt trời là những nguồn năng lượng sạch đáng lưu tâm nhất. Các nguồn năng  
lượng sức gió hay thủy triều thường có yêu cầu vị trí lắp đặt và công suất lớn. Ngược lại, năng  
lượng mặt trời(PV) có thể lắp đặt hầu hết tất cả các nơi và các dải công suất. Hiệu suất làm việc  
của các tấm pin năng lượng mặt trời không ổn định do thời tiết, khí hậu, thời gian sáng tối,  
cường độ bức xạ…. Bài báo “ Nghiên cứu và điều khiển bộ biến đổi DC/DC tăng áp ứng dụng  
cho pin năng lượng mặt trời ” đề xuất phương pháp nhằm nâng cao hiệu suất pin năng lượng  
mặt trời trong điều kiện không ổn định.  
Ở đây tác giả chọn phương pháp nghiên cứu khảo sát bộ biến đổi DC/DC tăng áp(Boost  
DC/DC) để tìm phương trình toán học và phân tích thuật toán nhiễu loạn và quan sát P&O dò  
tìm điểm công suất cực đại MPPT để điều khiển bộ Boost DC/DC. Dùng mô phỏng Matlab để  
kiểm chứng.  
Thông qua mô phỏng Matlab pin năng lượng mặt trời kết hợp bộ biến đổi DC/DC tăng áp sử  
dụng MPPT và biến đổi DC/DC tăng áp không sử dụng MPPT ta thu được kết quả là bộ Boost  
DC/DC sử dụng MPPT hiệu suất chuyển đổi đổi năng lượng cao hơn.  
Kết quả nghiên cứu được sử dụng làm tài liệu tham khảo cho các công trình nghiên cứu và  
xây dựng hệ thống điện mặt thực tiển trong cuộc sống.  
ABSTRACT  
Today, the demand for energy, especially electricity, is increasing day by day. Among the  
energy sources that humans have been using, the wind, tidal and solar energy sources are the  
most noticeable clean energy sources. Wind or tidal power sources often require large  
installation sites and capacity. In contrast, solar can be installed in almost all places and power  
ranges. The performance of solar panels is unstable due to weather, climate, light and dark time,  
radiation intensity.... The article "Research and control of booster DC / DC converters for solar  
cell applications" proposes a method to improve the performance of solar cells in unstable  
conditions.  
The author chooses a research method to survey the booster DC / DC converter (Boost DC /  
DC) to find mathematical equations and analyze turbulence algorithms and observe P&O to  
find the maximum power point MPPT to control Boost DC / DC. Use Matlab simulation to  
verify.  
Through Matlab simulation, the solar cell combining MPPT DC / DC converter and MPPT  
DC / DC converter without MPPT results in Boost DC / DC using MPPT effect. higher  
conversion power.  
The research results are used as a reference for researches and constructions of practical  
solar power system in life.  
Keywords:  
DC  
Direct Current  
MPPT  
P&O  
Maximum Power Point Tracking  
Perturbation and Observation  
1
q: Điện tích của điện tử (C).  
1. GIỚI THIỆU:  
Bài báo tập trung nghiên cứu bộ biến đổi  
Hình 1 cho ta thấy ba điểm quan trọng trên  
Boost DC/DC ứng dụng cho pin năng lượng đường đặc trưng này:  
mặt trời.  
Dòng ngắn mạch Isc  
Nhằm sử dụng tối ưu hoá pin mặt trời thì  
cần có giải pháp điều khiển Boost DC/DC thích  
hợp đó là sử dụng bộ Boost kèm theo giải thuật  
Điện áp hở mạch Voc  
Điểm công suất cực đại PM  
tìm kiếm đổi công suất cực đại MPPT để điều  
khiển khoa Q của của bộ biến DC/DC tăng áp  
bằng phân tích thuật toán nhiễu loạn và quan  
sát P&O điều trực tiếp chu kỳ D.  
2.1.1. Dòng ngắn mạch 퐈퐬퐜:  
Đặt giá trị V = 0 vào biểu thức (1) ta có:  
푞푅  
퐼
푠
푆퐶  
푅푠퐼푆퐶  
푛퐾푇  
(2)  
퐼푆퐶  
=
퐼푝ℎ − 퐼푠 [푒푥푞  
− 1] −  
푅푠ℎ  
2. TỔNG QUAN PIN NĂNG LƯỢNG  
Bỏ qua RS và Id = 0 và do đó ta có:  
퐼푆퐶 = 퐼푝ℎ 훼퐸.  
MẶT TRỜI:  
=
2.1. Đặc tính làm việc của pin mặt trời:  
Khi được chiếu sáng, nếu ta nối các bán  
dẫn p và n của một tiếp xúc p-n bằng một dây  
dẫn, thì pin mặt Trời phát ra một dòng quang  
điện Iph. Vì vậy trước hết pin mặt Trời có thể  
xem tương đương như một “nguồn dòng”.  
Hình 2. Đặc tính V-A và công suất – điện  
áp của pin mặt trời với cường độ sáng khác  
nhau (Pin mặt trời 225 W của hãng SHARP)  
2.1.2. Điện áp hở mạch 퐕퐨퐜:  
푞푉  
푐0  
푛퐾푇  
푉퐶푂 = 퐼푝ℎ − 퐼푠 [푒푥푞  
− 1]  
Hình 1b. Sơ đồ tương Hình 1b. Đường đặc  
푞푉  
푐표  
đương của pin mặt  
trời  
trưng theo độ chiếu  
sáng của pin mặt trời  
푛퐾푇  
= 퐼푝ℎ − 퐼푠 [푒푥푞  
− 1] + 퐼푠  
푞푉  
푐표  
푛퐾푇  
→ 퐼푝ℎ + 퐼푠 = 퐼푠 [푒푥푞  
− 1]  
Từ sơ đồ tương đương, có thể dễ dàng viết  
được những phương trình đặc trưng Volt –  
Ampere của pin mặt trời như sau:  
퐼푝ℎ + 퐼푠  
푛 퐾푇  
(3)  
→ 푉퐶푂  
=
푙푛  
푞
퐼푠  
Trong biểu thức của 푉 ta thấy nó phụ  
푐표  
퐼 = 퐼∅ − 퐼푑 − 퐼푠ℎ  
thuộc vào nhiệt độ một cách trực tiếp (thừa số  
T ở trước biểu thức) và gián tiếp qua dòng bão  
hòa 퐼푠 (hình 3)  
(
)
푞 푉+ 푅 퐼  
푠
푉 + 푅푠퐼  
푛퐾푇  
= 퐼∅ − 퐼푠 [푒푥푞  
− 1] −  
(1)  
푅푠ℎ  
Trong đó:  
I∅: Dòng quang điện (A/m2).  
Id: Dòng qua diot (A/m2).  
Ish: Dòng dò (A/m2).  
Is:  
Dòng bão hòa (A/m2).  
Được gọi là thừa số lý tưởng phụ thuộc  
n:  
vào các mức độ hoàn thiện công nghệ pin mặt  
Trời. Gần đúng có thể lấy n = 1.  
Rs: Điện trở nối tiếp (điện trở trong) của pin  
mặt Trời (Ω/m2).  
Hình 3. Đặc tính V-A của pin mặt trời với  
nhiệt độ khác nhau  
Rsh: Điện trở shun (Ω/m2).  
2
2.1.3. Điểm công suất cực đại 퐏퐌:  
PV cell  
I
+
Với các giá trị R khác nhau, các điểm làm  
việc sẽ khác nhau và do đó tải tiêu thụ cũng  
khác nhau. Tồn tại một giá trị R = ROPT mà  
tại đó công suất tải tiêu thụ là cực đại. Điểm  
làm việc ứng với công suất cực đại là điểm  
tiếp xúc giữa đường đặc tính VA của pin mặt  
trời và đường công suất không đổi (đường  
công suất không đổi IV = const là các đường  
hypecbol).  
R
S
I
d
R
P
I
SC  
LOAD  
I
SC  
-
Hình 5. Sơ đồ tương đương của pin quang  
điện  
Phương trình mô tả đặc tính pin quang  
điện [10]  
푣+푖푅  
푠
퐼 = 퐼푠푐 − (푒 푛 푉 − 1) − 푣+ꢀ푅  
푠
푠
푡
(7)  
푅
푃
Trong đó:  
퐼푠푐 : Dòng ngắn mạch  
퐼0 : Dòng ngược bão hòa  
푅푠 : Điện trở nối tiếp  
푅푃 : Điện trở song song đặc trưng cho dòng  
rò của tế bào quang điện  
Hình 4. Điểm làm việc và điểm công suất  
cực đại  
퐴 :  
Hệ số chất lượng của Diode  
Giá trị điện trở tải tối ưu ROPT được xác  
định theo định luật Ohm:  
푉 :  
푡
Ngưỡng điện áp nhiệt của Diode, với  
퐴푘푇  
푠푡푐  
푉푂푃푇  
푉 =  
푡
(4)  
푞
푅푂푃푇  
=
퐼푂푃푇  
푘 : Hằng số Boltzmann  
푞 : Điện tích electron  
Nếu điện trở tải nhỏ, R <<ROPT, pin mặt  
trời làm việc trong miền MN là miền mà cường  
độ dòng điện gần như không đổi và gần bằng  
dòng đoản mạch Isc.  
푛푠 : Số cell nối tiếp của tấm pin  
푇 : Nhiệt độ tại điều kiện thử nghiệm tiêu  
푠푡푐  
chuẩn STC  
Nếu điện trở tải R lớn, R >>ROPT, pin mặt  
Trời làm việc trong miền PS với hiệu điện thế  
gần như không đổi và bằng thế hở mạch VOC.  
Cường độ chiếu sáng ảnh hưởng nhiều đến  
dòng quang điện theo công thức:  
(8)  
( )  
퐼푠푐 퐺 = 퐼푠푐퐺  
2.1.4. Hiệu suất chuyển đổi năng lượng:  
Là tỷ lệ phần trăm năng lượng photon đã  
chuyển hóa thành điện năng khi pin được nối  
với tải trên năng lượng photon thu vào (5).  
Nhiệt độ ảnh hưởng nhiều đến điện áp hở  
mạch và dòng ngắn mạch theo công thức:  
( )  
푉 푇 = 푉 + 푘푣(푇 − 푇 )  
푠푡푐  
표푐  
표푐  
(9)  
{
푃
푚푎푥  
( )  
퐼푠푐 푇 = 푉 + 푘ꢀ(푇 − 푇  
)
푠푐  
푠푡푐  
ɳ =  
(5)  
퐸. 퐴  
Nhiệt độ T là nhiệt độ của tấm pin và được  
tính theo điểm làm việc thông thường của pin  
quang điện (NOCT), khi đó:  
Với: E (W/m2): cường độ bức xạ tới.  
A (m²): diện tích bề mặt của pin.  
Thừa số lấp đầy Kf (Fill factor) (6).  
푇푁푂퐶푇 − 20  
푇 = 푇  
+
퐺
(10)  
푎푚푝  
0,8  
푃
푚푎푥  
(6)  
퐾 =  
푓
Trong đó:  
: Nhiệt độ môi trường  
푉퐶푂퐼푆퐶  
푇
Các thông số quang điện hóa gồm dòng  
ngắn mạch ISC, thế mạch hở VOC, và công  
suất cực đại Pmax được xác định từ đường  
đặc trưng V-A.  
푎푚푝  
푇푁푂퐶푇 : Nhiệt độ tấm pin tại điều kiện NOCT  
Tại điều kiện NOCT, cường độ chiếu sáng  
퐺푁푂퐶푇 = 0,8 푘푊/푚2 và nhiệt độ môi trường  
푇푎푚푝푁푂퐶푇 = 200퐶.  
2.2. Chọn công suất pin quang điện:  
2.2.1. Khảo sát pin quang điện:  
3
Sử dụng Simulink/Matlab có hỗ trợ mô  
phỏng mô hình pin quang điện, ta chỉ cần khai  
báo hai thông số đó là cường độ chiếu sáng G  
và nhiệt độ tấm pin T.  
Bảng 1. Thông số pin quang điện NA42117  
của Bosch [13]  
TÊN THÔNG SỐ  
GIÁ TRỊ  
Công suất định mức tại STC (P STC  
)
250 W  
Điện áp MPP (Vmpp)  
Dòng điện MPP (Impp)  
Điện áp hở mạch (Voc)  
30.31 V  
8.14 A  
37.80 V  
Cường độ dòng điện ngắn mạch (Isc)  
Hệ số nhiệt độ của công suất (Pmax)  
Hệ số nhiệt độ của điện áp (Voc)  
8.72 A  
-0.44 %/ °C  
-0.31 %/ °C  
Hệ số nhiệt độ của cường độ dòng điện 0.031 %/ °C  
(Isc)  
Hình 6. Mô hình pin quang điện trong Matlab  
Nhiệt độ NOCT  
48.4°C  
182 W  
2018b  
Công suất NOCT (PNOCT  
Hiệu suất tổng thể  
Kích thước hai chiều  
Khối lượng  
)
2.2.2. Chọn công suất sơ bộ pin mặt trời:  
14.91%  
1.66m x 0.99 m  
21 kg  
Ở đây để tiện cho việc mô phỏng bài báo  
sẽ chọn công suất tải là 1100W thì công suất  
pin quang điện phải tương ứng là 1250W.  
Chọn module pin Bosch Solar Energy c-Si  
M60 NA42117 250W , số lượng pin quang  
điện là 5 tấm được mắc nối tiếp với nhau được  
đo đạt tại công suất cực đại.  
Điện áp tối đa của module  
600 V  
Dòng định mức của cầu chì bảo vệ  
15 A  
Dung sai (-/+)  
-0% / +10%  
Đặc tuyến của một tấm pin quang điện  
250W nhà sản suất cho  
Hình 8. Đặc tuyến I – V Hình 9. Đặc tuyến P –V  
Hình 7. Tấm pin quang điện NA42117 của Bosch  
Hình 9. Thông số pin quang điện lấy ra từ  
Matlab/simulink  
Đặc tuyến P-V khi ta ghép nối với nhau để  
lấy năng lượng đưa vào hệ thống. Đặc tuyến  
của 5 tấm pin quang điện mắc nối tiếp ở nhiệt  
độ 25oC và cường độ chiếu nắng 1000W/m2.  
4
Giả thiết: nhiệt độ trung bình cả ngày, cả  
năm là 30oC. Sử dụng mô hình Matlab, ta tính  
được công suất tương ứng thu được của tấm  
pin quang điện.  
Bảng 3. Cường độ chiếu sáng mặt trời theo giờ  
Hình 10. Đặc tuyến của 5 tấm pin quang  
điện mắc nối tiếp ở nhiệt độ 25oC  
Công suất pin quang điện đo được ở vị trí  
lớn nhất là 1250 W. Như vậy hệ thống lựu  
chọn là đạt yêu cầu.  
800  
Cường độ chiếu sáng  
700  
Số liệu này được thu thập bằng cách truy  
cập trang web [12] của Nasa, nhập tọa độ khu  
vực khảo sát.  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
Bảng 2. Cường độ chiếu sáng mặt trời các  
tháng trong năm (W/m2)  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22  
Hình 12. Đồ thị cường độ chiếu sáng tại các  
thời điểm trong ngày (tháng 1)  
Bảng 4. Công suất mặt trời ứng với các cường  
độ chiếu sáng theo giờ  
3. BỘ BIẾN ĐỔI DC/DC VÀ GIẢI THUẬT  
ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI:  
3.1. Bộ biến đổi DC – DC:  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
Các loại bộ biến đổi DC/DC thường dùng  
trong hệ PV gồm:  
Bộ giảm áp (Buck)  
Bộ tăng áp (Boost)  
Bộ đảo dấu điện áp (Buck – boost)  
Bộ biến đổi tăng – giảm áp Cúk  
3.1.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động  
mạch Boost:  
D
L
_
+
iL(t)  
vL(t)  
+
iC(t)  
C
Q1  
Rt  
1
2
giờ  
6
3
0
7
4
5
6
2
9
7
3
8
9
10 11 12  
5
+
_
Vg  
Vo  
_
1
8
4
10 11 12  
Hình 13. Sơ đồ nguyên lý mạch Boost  
Hình 11. Cường độ chiếu sáng mặt trời các  
tháng trong năm  
5
Dạng dòng điện iL(t) và điện áp ra Vo(t)  
Phương trình cân bằng điện áp:  
푉 − 푉 = 퐿 퐼 −퐼  
được mô tả như hình 14 sau đây:  
2
1
푔
0
푇
표푓푓  
hay 푉 − 푉 = 퐿 푇2∆퐼  
(15)  
(16)  
(17)  
퐿
0
푔
표푓푓  
Dòng điện qua tụ:  
2∆푉  
푉
0
0
푖퐶 = 퐶  
Từ đó ta rút ra  
∆퐼퐿 =  
= 퐼퐿 −  
푇표푓푓  
푅푡  
(푉0 − 푉 )푇표푓푓  
푔
2퐿  
Hình 14. Dạng dòng điện qua cuộn cảm và  
điện áp trên tải  
Cân bằng ∆퐼퐿 ở biểu thức (12) và (17)  
suy ra:  
Trong khoảng thời gian Ton: van Q1 dẫn và  
diode D khóa, chiều dòng điện iL(t) qua cuộn  
cảm và iC(t) qua tụ điện như hình 15  
푉 푇  
(푉0 − 푉 )푇표푓푓  
푔 표푛  
푔
=
2퐿  
2퐿  
(18)  
푇
표푛  
Với D =  
, thay vào (18) ta được:  
L
푇
표푛  
+푇  
표푓푓  
_
iL(t)  
vL(t)  
+
+
푉
푔
iC(t)  
C
푉 =  
0
(19)  
1 − 퐷  
+
_
Vg  
Rt  
Vo  
_
Giả sử tổn thất của mạch bằng 0, lúc này:  
푉 퐼 = 푉 퐼  
푔 퐿  
0 0  
(20)  
Hình 15. Mạch tương đương khi Q1 dẫn và  
Từ (19) và (20) ta có:  
diode D khóa  
퐼0  
퐼퐿 =  
Điện áp nguồn được biểu diễn:  
(21)  
(22)  
1 − 퐷  
(
)
퐿 퐼2 − 퐼1  
2퐿∆퐼퐿  
Từ (12) và (14) suy ra:  
푉 =  
푔
=
(11)  
푉 푇  
푉 푇 퐷 푉 푇퐷  
푔 표푛  
푉 퐷  
푇
표푛  
푇
표푛  
푔 표푛  
푔
푔
퐿 =  
=
=
=
2∆퐼퐿  
2퐷∆퐼퐿  
2∆퐼퐿 2푓 ∆퐼퐿  
Suy ra:  
푠
푉 푇  
푔 표푛  
∆퐼퐿 =  
(12)  
(13)  
푉0푇표푛퐷  
푉0푇퐷  
푉0퐷  
2퐿  
퐶 =  
=
=
(23)  
2푅푡∆푉  
2푅푡∆푉0 2푓 푅푡∆푉0  
Dòng điện qua tụ điện:  
0
푠
−∆푉  
−푉  
푖퐶 = 퐶 푉 −푉 = 퐶  
=
1
2
0
0
Trong đó: 푓 là tần số đóng cắt  
푠
푇
푇
표푛  
푅
푡
표푛  
Như vậy nguyên tắc điều khiển điện áp ra  
của các bộ biến đổi là điều chỉnh tần số đóng  
mở van Q1.  
Suy ra:  
푉 푇  
0 표푛  
퐶 =  
(14)  
2푅푡∆푉  
3.1.2. Tính toán bộ biến đổi Boost:  
0
Trong khoảng thời gian Toff : van Q1 khóa  
và diode D dẫn, chiều dòng điện iL(t) qua cuộn  
cảm và iC(t) qua tụ điện như hình 16  
Sử dụng thông số của pin mặt trời ở bảng  
1 thông số pin quang điện NA42117 của  
Bosch có những thông số cơ bản đo như sau,  
PPV = 250 W  
VOC = 37.80 V  
ISC = 8.72A  
L
VMPP = 30.11V  
IMPP = 8.14 A  
_
+
vL(t)  
iL(t)  
+
iC(t)  
C
Trong mạch ta sử dụng 5 tấm pin mặt trời  
mắt nối tiếp nhau, lúc đó các thông số của hệ  
thống pin như sau:  
+
_
Vg  
Vo  
_
Rt  
IMPP = IMPP = 8.14 A  
VMPP ht = nVMPP = 5 x 30.31 = 155.55 V  
Pht = nPPV = 5 x 250 = 1250 W  
Hình 16. Mạch tương đương khi Q1 khóa và  
diode D dẩn  
6
Các yêu cầu thiết kế là điện áp ra tải  
Vo=310V, dao động dòng điện trên cuộn cảm,  
tần số đóng cắt fs = 50kHz. Giả sử bộ biến đổi  
là lý tưởng, suy ra:  
Bảng thông số thiết kế mạch DC/DC  
Bảng 5. Bảng thông số thiết kế mạch DC/DC  
L [H]  
C [F]  
Q1 (Mostfet)  
D
Công suất: Pin = P0 = 1250 W  
9.8446x10-4 6.3x10-6  
IRF460N  
DO47  
2
2
V
310  
0
Điện trở tải: Rt =  
=
= 76.88  
(Imax=19A -  
(Imax=10A -  
P
0
1250  
Vmax=500V) Vmax=1000V)  
Dòng điện qua cuộn cảm:  
P
1250  
in  
IL  
=
=
= 8.036 A  
155.55  
V
in  
3.2. Giải thuật điều khiển công suất cực đại  
MPPT và thuật toán bám điểm công suất  
cực đại P&O điều khiển trực tiếp D:  
Hệ số đóng cắt của van đóng cắt:  
V
155.55  
in  
D = 1 −  
= 1 −  
= 0.4984  
V0  
310  
3.2.1. Giải thuật điều khiển công suất cực  
đại MPPT:  
Chọn độ dao động dòng điện trên cuộn  
cảm:  
Điểm làm việc có công suất lớn nhất MPP  
định trên đường đặc tính I – V luôn thay đổi  
dưới điều kiện nhiệt độ và cường độ bức xạ  
thay đổi. Chẳng hạn, hình 17 thể hiện đường  
đặc tính làm việc I – V ở những mức cường độ  
bức xạ khác nhau tăng dần ở cùng một giá trị  
nhiệt độ (25oC) và hình 18 thể hiện các đường  
đặc tính làm việc ở cùng một mức cường độ  
bức xạ nhưng với nhiệt độ tăng dần.  
∆퐼퐿 = 10%퐼퐿 = 0.1 × 7.875 = 0.7875 A  
Tính toán tụ lọc đầu ra:  
Chọn độ dao động điện áp:  
∆V0 = 1%V0 = 0.01 × 310 = 3.1V  
Giá trị tụ lọc đầu ra tính theo biểu thức (23):  
푉 퐷  
0
퐶 =  
2푓 푅푡∆푉  
푠
0
310 × 0.4984  
2 × 50 × 103 × 78.4489 × 3.1  
= 6.3 × 10−6  
=
퐹
Chọn giá trị điện dung của tụ: C = 6.3 μF  
và chịu được điện áp 310V.  
Chọn van bán dẫn  
Chọn van đóng cắt là MOSFET tần số cao,  
dòng IL= 8.036A nên chọn MOSFET  
IRF460N có thể chịu được dòng tối đa là  
19A, điện áp tối đa là 500V.  
Hình 17. Đặc tính làm việc của pin khi cường  
độ bức xạ thay đổi ở cùng một mức nhiệt độ  
Chọn loại diode tần số cao DO47 chịu được  
dòng 10A và áp 1000V.  
Giá trị cuộn cảm được tính theo công thức  
(22)  
푉 퐷  
155.55×0.4984  
푔
퐿 =  
=
3
2푓 ∆퐼  
푠
2×50×10 ×0.7875  
퐿
= 9.8446 × 10−4  
퐻
Hình 18. Đặc tính làm việc I – V của pin khi  
nhiệt độ thay đổi ở cùng một mức cường độ  
bức xạ  
7
3.2.2. Thuật toán bám điểm công suất cực  
đại P&O điều khiển trực tiếp D:  
Vmpp: Điện áp tại điểm MMP  
Impp: Dòng điện tại điểm MMP  
Câu trúc như hình 19, bộ điều khiển gồm:  
Thuật toán MPPT điều khiển D và bộ tạo xung  
PWM. Bộ điều khiển lấy tín hiệu áp và dòng  
đưa vào thuật toán để điều khiển D cho bộ  
biến đổi DC/DC.  
Nguyên lý hoạt động được mô tả thông  
qua đồ thị hình 3.9a và hình 3.9b  
21a. Đặc tính P – V 21b. Đặc tính I - V  
Hình 21. Mô tả thuật toán P&O điều khiển  
trực tiếp chu kỳ nhiệm vụ D  
Từ hình 21 ta suy ra được lưu đồ thuật  
toán như hình 22.  
Bắt đầu  
P&O  
Hình 19. Pin mặt trời với thuật toán P&O điều  
khiển trực tiếp chu kỳ nhiệm vụ D  
Đo V(k), I(k)  
Xét tải thuần trở nên đường đặc tính tải là  
một đường thẳng với độ dốc là 1/R. Giả sử có  
3 giá trị của tải là R1, R2, R3 thì 3 đường đặc  
tính I-V tương ứng sẽ có độ dốc lần lượt là  
1/R1, 1/R2,1/R3. Trong số đó chỉ có đường đặc  
tính tải tương ứng R2 là cắt đường đặc tính I-V  
của PMT tại điểm MPP như hình 20  
P(k) = V(k).I(k)  
ΔP = P(k) - P(k-1)  
ΔV = V(k) - V(k-1)  
S
Đ
ΔP >0  
Đ
Đ
ΔV > 0  
ΔV > 0  
I [A]  
S
S
1/R1  
D = D + ΔD  
D = D - ΔD  
D = D + ΔD  
D = D - ΔD  
MPP  
1/R2  
Impp  
V(k-1) = V(k)  
P(k-1) = P(k)  
1/R3  
Hình 22. Lưu đồ giải thuật P&O  
0
Vmpp  
V [V]  
4. MÔ PHỎNG BỘ BIẾN ĐỔI BOOST  
KÈM GIẢI THUẬT ĐIỀU KHIỂN CÔNG  
SUẤT CỰC ĐẠI MPPT  
Hình 20. Đặc tính làm việc của pin mặt trời và  
của tải  
4.1. Mô phỏng hệ thống pin quang điện và  
bộ biến đổi Boost không dùng giải thuật  
MPPT:  
Như vậy ứng với tải có giá trị R2 thì pin  
quang điện sẽ làm việc tại điểm có công suất  
cực đại MPP, tuy nhiên điều này chỉ xảy ra  
một cách hết sức ngẫu nhiên. Khi điều kiện  
thời tiết thay đổi hoặc tải biến động, bộ MPPT  
sẽ làm việc để luôn bám điểm MPP dựa theo  
nguyên lý dung hợp tải. Khi pin quang điện  
mắc trực tiếp với tải thì điểm làm việc sẽ do  
đặc tính tải xác định, khi giá trị của tải khớp  
với giá trị RMPP thì công suất truyền từ PMT  
đến tải sẽ là lớn nhất. Công thức tính RMPP  
(24)  
Áp dụng các công thức và cách mô phỏng  
trong bài báo [10], ta xây dựng mô hình mô  
phỏng hệ thống ở hình 23. Bộ băm xung áp  
được sử dụng để đưa vào đóng cắt Mosfet  
được trình bày ở hình 24, toàn bộ mô hình mô  
phỏng pin quang điện và bộ biến đổi Boost  
được trình bày ở hình 23.  
푉푀푃푃  
(24)  
푅푀푃푃  
=
퐼푀푃푃  
Trong đó:  
Rmpp: Điện trở tương ứng tại điểm MMP  
8
Hình 26. Điện áp đầu ra bộ biến đổi DC/DC  
khi không dùng giải thuật MPPT  
Giá trị điện áp trung bình đầu vào hình 26  
Hình 23. Mô hình mô phỏng pin quang điện và  
bộ biến đổi Boost  
Tại cường độ chiếu nắng 1000W/m2: V =  
286 V  
Tại cường độ chiếu nắng 800W/m2: V =  
257 V  
Tại cường độ chiếu nắng 900W/m2: V =  
275 V  
Công suất của hệ thống khi ta giữ cố định  
D và không dùng giải thuật MPPT so sánh với  
công suất lớn nhất của pin tại từng thời điểm  
nhiệt độ cố định ở hình 27.  
Hình 24. Mô hình mô phỏng thuật toán PWM  
Cho tỷ số chu kỳ D bằng 0.4984. Ta cài giá  
trị cường độ ánh sáng đầu vào hệ thống pin  
mặt trời ban đầu được cho là 1000 W/m2 đến  
thời điểm 0.4 (s) giá trị cường độ ánh sáng là  
800 W/m2 và tiếp sau 0.4 (s) giá trị cường độ  
ánh sáng tăng lên lại là 900 W/m2.  
Hình 27. Công suất hệ thống khi không có giải  
thuật MPPT  
Công suất lớn nhất tại các thời điểm:  
Tại cường độ chiếu nắng 1000W/m2: P =  
1112 W  
Tại cường độ chiếu nắng 800W/m2: P =  
Hình 25. Điện áp đầu vào bộ biến đổi DC/DC  
khi không dùng giải thuật MPPT  
910 W  
Tại cường độ chiếu nắng 900W/m2: P =  
Giá trị điện áp trung bình đầu vào hình 25  
1011 W  
Tại cường độ chiếu nắng 1000W/m2: V =  
Ta có thể tính hiệu suất của hệ thống như  
144,1 V  
퐼
×푉  
푃푉  
푃푉x100%  
Tại cường độ chiếu nắng 800W/m2: V =  
sau: =  
푃
푀푃푃  
129.6 V  
Công suất được đo tại các thời điểm chiếu  
nắng hình 26  
Tại cường độ chiếu nắng 1000W/m2: P =  
1083 W, = 97%  
Tại cường độ chiếu nắng 900W/m2: V =  
138.5 V  
Tại cường độ chiếu nắng 800W/m2: P =  
875.6 W, = 96%  
Tại cường độ chiếu nắng 900W/m2: P =  
1001 W, = 99%  
9
4.2. Mô phỏng hệ thống pin quang điện và  
bộ biến đổi Boost có sử dụng thuật toán  
MPPT:  
Để khảo sát khả năng truy bắt điểm làm  
việc tối ưu của hệ thống ta cài giá trị cường độ  
ánh sáng đầu vào hệ thống pin mặt trời ban  
đầu được cho là 1000 W/m2 đến thời điểm 0.4  
(s) giá trị cường độ ánh sáng là 800 W/m2 và  
tiếp sau 0.4 (s) giá trị cường độ ánh sáng tăng  
lên lại là 900 W/m2 thời gian lấy mẫu mô  
phỏng từ 0s đến 1.2s.  
Hình 31. Điện áp đầu ra bộ biến đổi Boost  
mạch có giải thuật MPPT  
Giá trị điện áp đầu ra ở hình 31:  
Tại cường độ chiếu nắng 1000W/m2: V =  
Thuật toán P&O mô phỏng trên  
Matlab/Simulink được đưa ra ở hình 28.  
288 V  
Tại cường độ chiếu nắng 800W/m2: V =  
261 V  
Tại cường độ chiếu nắng 900W/m2: V =  
275 V  
Hình 28. Mô hình mô phỏng mạch DC/DC  
có giải thuật điều khiển MPPT  
Trong bộ MPPT, khoảng lấy mẫu được  
dùng là D=0.01.  
Hình 32. Công suất phát ra của Pin mặt  
trời khi dùng MPPT  
Giá trị công suất ở hình 32 đo được:  
Tại cường độ chiếu nắng 1000W/m2:  
P = 1100 W, = 98.9%  
Hình 29. Mô hình mô phỏng thuật toán MPPT  
dùng giải thuật P&O  
Tại cường độ chiếu nắng 800W/m2:  
Kết quả thu được điện áp đầu ra và đầu  
vào bộ biến đổi  
P = 899.8 W, = 98.9%  
Tại cường độ chiếu nắng 900W/m2:  
P = 1000 W, = 98.9%  
Mô phỏng tỷ số điều chế D đưa vào bộ  
MPPT được thể hiện ở hình 33.  
PPVmax  
PPV  
Hình 30. Điện áp đầu vào bộ biến đổi Boost  
mạch có giải thuật MPPT  
Giá trị điện áp đầu vào ở hình 30:  
Tại cường độ chiếu nắng 1000W/m2:  
V = 137.5 V  
Hình 33. Tỷ số chu kỳ D do thuật toán P&O  
Tại cường độ chiếu nắng 800W/m2:  
tính toán  
Tỷ số chu kỳ D hình 33 điều chỉnh được  
V = 139.7 V  
Tại cường độ chiếu nắng 1000W/m2: D =  
Tại cường độ chiếu nắng 900W/m2:  
V = 138.4 V  
0.5194  
10  
Tại cường độ chiếu nắng 800W/m2: D =  
pumping systems. Solar Energy 2004;  
77:81–93.  
0.4559  
Tại cường độ chiếu nắng 900W/m2: D =  
[5] Diarra DC. Solar photovoltaic in Mali:  
potential and constraints. Energy Conversion  
and Management 2002; 43:151–63.  
0.4929  
Tỷ số D ở công suất 1000 W/m2 bộ  
MPPT tính toán gần sát với kết quả tính của  
ta. Khi có sự thay đổi độ chiếu nắng MPPT  
thuật toán nhanh chóng đáp ứng sự thay đổi.  
[6] Mahmoud E, El Nather H. Renewable  
energy and sustainable developments in Egypt:  
photovoltaic water pumping in remote areas.  
Energy 2003; 74:141–7.  
Như vậy, bài báo đã mô phỏng kiểm  
chứng dòng điện và điện áp đầu ra đúng với  
kết quả lý thuyết. Kết hợp với giải thuật bám  
điểm công suất cực đại qua mạch mô phỏng  
ta được điện áp đầu ra đưa ổn định và hiệu  
quả cao.  
[7] Meah K, Ula S, Barrett Sk. "Solar  
photovoltaic water pumping-opportunities  
and challenges." Renewable and Sustainable  
Energy Reviews 2008; 12:1162–75.  
[8] M. Liserre, T. Sauter, and J. Y. Hung,  
"Future  
Energy  
Systems:  
Integrating  
5. Kết luận:  
Renewable Energy Sources into the Smart  
Power Grid Through Industrial Electronics,"  
IEEEIndustrial Electronics Magazine, vol. 4,  
pp. 18, 2010.  
Trong bài báo này tác giã đã tiếp cận được  
cách thức lựu chọn công suất pin năng lương  
mặt trời, tính toán cho một bộ biến Boost DC/  
DC cụ thể cho tải.  
[9] V. Mapurunga Caracas, G. De Carvalho  
Farias, L. F. Moreira Teixeira, and L. A. De  
Kiểm chứng được ứng dụng của mạch  
Boost DC/DC cho pin mặt trời. Sử dụng thuật  
toán P&O dò tìm điểm công suất cực đai MPPT  
kết quả thu được là hiệu suất chuyển đổi năng  
lượng của pin lên đến 99% và đáp ứng hệ thống  
rất nhanh. Qua mô phỏng 2 hệ thống điều sử  
dụng điều khiển xung PWM và Sử dụng thuật  
toán P&O dò tìm điểm công suất cực đai MPPT  
điều khiển trực tiếp chu ky D ta thấy nhất thiết  
phải có bộ MPPT để điều khiển bộ Boost  
DC/DC ứng dụng cho pin năng lượng mặt trời.  
Souza Ribeiro, "Implementation of  
High-Efficiency, High-Lifetime,  
a
and  
Low-Cost Converter for an Autonomous  
Photovoltaic Water Pumping System," IEEE  
Transactions on Industry Applications, vol. 50,  
pp. 631 - 641, 2014.  
[10] Habbati Bellia, Ramdani Youcef and  
Moulay Fatima "A detailed modeling of  
photovoltaic module using MATLAB",  
Received 13 June 2013; revised 14 February  
2014; accepted 9 April 2014, Available online  
16 May 2014.  
Kết quả thu được từ đề tài chỉ làm cơ sở lý  
thuyết cho những công trình nghiên cứu sau  
này như điều khiển cho các bộ biến đổi công  
suất DC-DC (Buck-Boost, Flyback…) và đi  
đến nghiên cứu một hệ thống sử dụng thực tế  
trong cuộc sống.  
[11] Nguyễn Văn Nhờ. Điện tử công suất 1.  
NXB Đại học Quốc gia Tp. Hồ Chí Minh,  
2015, tr. 202.  
[12] NASA Surface meteorology and Solar  
TÀI LIỆU THAM KHẢO  
Energy  
–
Location:  
[1] European Commission, DG Joint  
Research Centre, Institute for Environment and  
Sustainability, Renewable Energies Unit. PV  
status report 2006. Ispra, Italy; 2006. EUR  
gi?email=skip@larc.nasa.gov, 16/07/2016.  
[13] Bosch c-Si M60 NA42117 245W (245W)  
Solar  
Panel:  
22346  
EN.  
Available  
from:  
module-panelsolar/Bosch/3695/c-Si-M60-NA  
42117-245W/specification-data-sheet.html,  
20/07/2016.  
[2] Jager-Waldau A. Photovoltaics and  
renewable energies in Europe. Renewable and  
Sustainable Energy Reviews2007;11:1414–37.  
[14] Nguyễn Phùng Quang. MATLAB &  
SIMULINK dành cho kỹ sư điều khiển tự  
động. Nhà xuất bản Khoa học và Kỹ thuật,  
2004.  
[3] Al-Karaghouli A, Al-Sabounchi AM. A  
PV pumping system. Applied Energy 2000;  
65:231–8.  
[4] Firatoglu ZA, Yesilata B. New approaches  
on the optimization of directly coupled PV  
11  
Tác giả chịu trách nhiệm bài viết:  
Họ tên: Trần Văn Diễn  
Xác nhận của Giảng viên hướng dẫn  
( Ký & ghi rõ họ tên )  
Đơn vị: Trường CĐN CNC Đồng Nai  
Điện thoại: 0901552498  
PGS.TS. Nguyễn Minh Tâm  
12  
BÀI BÁO KHOA HỌC  
THỰC HIỆN CÔNG BỐ THEO QUY CHẾ ĐÀO TẠO THẠC SỸ  
Bài báo khoa học của học viên  
có xác nhận và đề xuất cho đăng của Giảng viên hướng dẫn  
Bản tiếng Việt ©, TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HỒ CHÍ MINH và TÁC GIẢ  
Bản quyền tác phẩm đã được bảo hộ bởi Luật xuất bản và Luật Sở hữu trí tuệ Việt Nam.  
Nghiêm cấm mọi hình thức xuất bản, sao chụp, phát tán nội dung khi chưa có sự đồng ý  
của tác giả và Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh.  
ĐỂ CÓ BÀI BÁO KHOA HỌC TỐT, CẦN CHUNG TAY BẢO VỆ TÁC QUYỀN!  
Thực hiện theo MTCL & KHTHMTCL Năm học 2019-2020 của Thư viện Trường Đại học  
Sư phạm Kỹ thuật Tp. Hồ Chí Minh.  
pdf 13 trang Mãnh Khiết 09/01/2024 12221 Free
Bạn đang xem tài liệu "Nghiên cứu và điều khiển bộ biến đổi DC/DC tăng áp ứng dụng cho pin năng lượng mặt", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

File đính kèm:

  • pdfnghien_cuu_va_dieu_khien_bo_bien_doi_dcdc_tang_ap_ung_dung_c.pdf