Bài giảng Dụng cụ bán dẫn - Chương 4: Chuyển tiếp PN (PN Junction) (Phần 3) - Hồ Trung Mỹ

ĐHBK Tp HCM-Khoa Đ-ĐT  
BMĐT  
GVPT: Hồ Trung Mỹ  
Môn học: Dụng cụ bán dẫn  
Chương 4  
Chuyển tiếp PN  
(PN Junction)  
1
Nội dung chương 4  
1. Chuyển tiếp PN – Giới thiệu các khái niệm  
2. Điều kiện cân bằng nhiệt  
3. Miền nghèo  
4. Điện dung miền nghèo  
5. Đặc tuyến dòng-áp  
6. Các mô hình của diode bán dẫn  
7. Điện tích chứa và quá trình quá độ  
8. Đánh thủng chuyển tiếp  
9. Chuyển tiếp dị thể (Heterojunction)  
10. Các loại diode bán dẫn khác  
11. Giới thiệu các ứng dụng của diode bán dẫn  
2
4.10 Các diode bán dẫn khác  
• Diode chỉnh lưu (rectifier)  
• Diode ổn áp  
• Diode biến dung  
• Diode phát quang (LED)  
• Diode quang (Photodiode=PD)  
• Diode Schottky  
• Diode Tunnel (đường hầm)  
• . . .  
3
Các ký hiệu diode  
(diode thường)  
(diode ổn áp)  
(diode Schottky)  
(diode đánh thủng 2 chiều)  
(diode biến dung = varactor)  
(diode phát quang)  
4
4.10.1 Diode chỉnh lưu (Rectifier)  
• Diode chỉnh lưu là dụng cụ 2 cực cho điện trở rất thấp  
với dòng điện theo 1 chiều và điện trở rất cao ở chiều  
ngược lại. nghĩa là cho chỉ 1 cho phép dòng điện chạy  
theo 1 chiều (đặc tính chỉnh lưu).  
• Điện trở thuận và ngược của diode chỉnh lưu có thể  
được suy từ quan hệ dòng-áp của diode thật:  
• Với I0 là dòng bão hòa ngược và là hệ số lý tưởng,  
tổng quát có giá trị từ 1 (với dòng khuếch tán) đến 2 (với  
dòng tái hợp)  
5
Điện trở thuận và ngược  
• Điện trở thuận DC (hay tĩnh) RF và điện trở tín hiệu nhỏ  
(hay động) rF:  
• Điện trở ngược DC RR và điện trở ngược tín hiệu nhỏ  
rR:  
6
• Các diode PN chỉnh lưu về tổng quát có tốc độ chuyển mạch  
chậm; nghĩa là nó cần thời gian trì hoãn để có được tổng trở  
cao sau khi chuyển mạch từ trạng thái dẫn thuận sang trạng  
thái tắt. Trì hoãn này tỉ lệ với thời gian sống của hạt dẫn thiểu  
số, với tần số thấp thì nó không ảnh hưởng nhiều. Tuy nhiên  
ở những ứng dụng tần số cao nó ảnh hưởng đến hiệu suất  
chỉnh lưu.  
• Phần lớn các diode chỉnh lưu có tiêu tán công suất từ 0.1W  
đến 10W, điện áp đánh thủng từ 50 đến 2500V(với các diode  
chỉnh lưu cao áp, người ta mắc nối tiếp từ 2 chuyển tiếp P-N  
trở lên), và thời gian chuyển mạch từ 50ns (với diode công  
suất thấp) đến khoảng 500ns (với diode công suất cao) .  
• Diode chỉnh lưu có nhiều ứng dụng:  
– Biến đổi tín hiệu AC thành dạng sóng đặc biệt. TD: chỉnh lưu  
bán kỳ, toàn sóng, mạch xén, mạch kẹp, mạch tách sóng đỉnh  
(giải điều chế).  
– Mạch bảo vệ tĩnh điện  
7
– Khóa điện tử . . .  
Diode specification sheets  
8
9
1N4148  
10  
1N4148  
1N4148  
12  
Diode  
• A diode is formed  
by joining an n-type  
semiconductor with  
a p-type  
semiconductor.  
• A pn junction is  
the interface  
between n and p  
regions.  
Diode symbol  
Slides From  
Jaeger/Blalock  
Microelectronic Circuit Design  
McGraw-Hill  
13  
Phương trình diode  
  
  
   
  
  
   
qvD  
vD  
i I exp  
1 I exp  
1  
S  
  
   
   
S  
  
D
   
nkT  
nV  
   
T
  
  
  
  
với  
IS = dòng bão hòa ngược (A)  
vD = điện áp đặt trên diode (V)  
q = điện tích điện tử (1.60 x 10-19 C)  
k = hằng số Boltzmann (1.38 x 10-23 J/K)  
T = nhiệt độ tuyệt đối Kelvin  
n = hệ số không lý tưởng  
VT = kT/q = điện áp nhiệt (V) (25 mV nhiệt độ phòng [T=300K])  
IS có trị tiêu biểu trong tầm từ 10-18 đến 10-9 A, và phụ thuộc  
nhiều nhiệt độ do nó phụ thuộc vào ni2. Hệ số không lý tưởng  
có trị tiêu biểu gần 1, nhưng gần với 2 với dụng có mật độ  
dòng cao.  
14  
Dòng diode với các cách phân cực  
• Phân cực ngược:  
  
S   
  
   
vD  
i I exp  
1 I 0 1  I  
  
  
S    
   
D
S
nV  
   
  
T
• Phân cực Zero: (không phân cực)  
  
  
   
vD  
i I exp  
1 I 11 0  
  
  
S    
   
D
S   
  
nV  
   
T
• Phân cực thuận:  
  
S   
  
   
   
vD  
vD  
i I exp  
1 I exp  
  
  
   
   
nV  
D
S
nV  
   
   
  
T
T
Microelectronic Circuit Design  
McGraw-Hill  
15  
Giải tích mạch diode: Cơ sở  
Phương trình vòng của mạch  
bên:  
V ID R VD  
Nó cũng được gọi là đường tải  
(load line) của diode (DCLL=DC  
Load Line). Nghiệm của phương  
trình này có thể tìm bằng:  
• Giải tích đồ thị dùng phương  
pháp đường tải.  
• Giải tích với mô hình toán của  
diode.  
• Giải tích đơn giản hóa với mô  
hình diode lý tưởng.  
V và R có thể biểu diễn tương  
đương Thévenin của 1 mạng 2 cực  
phức tạp hơn. Đối tượng của giải  
tích mạch diode là tìm điểm [làm  
việc] tĩnh (quiescent operating  
point) Q của diode, nghĩa dòng và  
áp DC ở diode.  
• Giải tích đơn giản hóa với mô  
hình sụt áp hằng.  
16  
Giải tích đường tải (thí dụ)  
Vấn đề: Tìm điểm Q  
Cho trước: V=10 V, R=10kW.  
4
Giải tích:  
10 ID10 VD  
Để định nghĩa đườg tải, ta dùng,  
ID (10V /10kW) 1mA  
VD= 0  
VD= 5 V, ID =0.5 mA  
Giao của 2 đường này cho  
nghiệm:  
Điểm Q = (0.95 mA, 0.6 V)  
17  
Đường tải DC (DC Load Line)  
Phương trình đường tải:  
VS VF  
1.5V VF  
I   
R
25Ω  
1
18  
Giải tích dùng mô hình toán cho Diode  
Vấn đề: Tìm điểmQ với đặc tuyến diode Bằng cách đoán các giá trị lặp lại cho  
cho trước.  
VD và tăng hay giảm VD cho đến khi  
Dữ liệu: IS = 10-13 A, n = 1, VT = 0.025 V vế phải của phương trình bằng 10:  
Giải tích:  
Điểm Q= (0.943 mA, 0.574 V)  
10ID104 VD  
thường thì 2 hay 3 số có nghĩa cho VD  
vì IS, n, VT, và R hiếm khi có độ chính  
xác tốt hơn.  
VD  
I I exp  
1 10  
13 exp  
40VD  
1  
S   
D
nVT  
13  
4
10 10 10 exp 40VD 1 VD  
Ta sẽ SPICE nếu ta muốn dùng mô  
hình toán đầy đủ.  
Muốn giải hệ này ta phải dùng phương  
pháp tính số.  
19  
Newton’s Iteration Method for f (vD) = 0  
20  
Tải về để xem bản đầy đủ
pdf 73 trang myanh 19520 Free
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Bài giảng Dụng cụ bán dẫn - Chương 4: Chuyển tiếp PN (PN Junction) (Phần 3) - Hồ Trung Mỹ", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

File đính kèm:

  • pdfbai_giang_dung_cu_ban_dan_chuong_4_chuyen_tiep_pn_pn_junctio.pdf