Bài giảng Mạch điện tử 1 - Chương 2: Transistor hai lớp tiếp giáp - BJT

0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
CHÖÔNG 2: TRANSISTOR HAI LÔÙP TIEÁP GIAÙP - BJT  
2.1 Giôùi thieäu  
2.2 Doøng chaûy trong BJT  
2.3 Khueách ñaïi doøng trong BJT  
2.4 Giaûi tích maïch BJT baèng ñoà thò  
2.5 Tính toaùn coâng suaát  
2.6 Tuï Bypass voâ haïn  
2.7 Tuï gheùp voâ haïn  
2.8 Maïch Emitter Follower  
2.9 Môû roäng  
“We make a living by what we get, we make a life by what we give”.  
- Winston Churchill, Sir (1874-1965)  
Chöông 2  
1
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
2.1 Giôùi thieäu  
x 1948: Transistor ñaàu tieân (Bell Lab)  
x Caùc loaïi transistor (TST): BJT, FET  
x BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lôùp tieáp giaùp  
2.2 Doøng chaûy trong BJT  
x Caáu taïo vaø kyù hieäu  
x Doøng chaûy trong BJT  
EB: Phaân cöïc thuaän  
CB: Phaân cöïc nghòch  
IC   DIE ꢀ ICBO  
IE   IB ꢀ IC  
Ÿ IB   (1ꢁD)IE ꢁ ICBO  
ICBO  
1ꢁD  
§
¨
©
·
¸
¹
I   
I ꢁ  
C
B
D
D
D
Ñaët: E   
1ꢁD  
Löu yù: Caáu hình B chung (CB – Common Base configuration)  
Chöông 2  
2
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
2.2.1 Moái noái Emitter – Base (EB)  
Xem moái noái EB nhö moät Diode phaân cöc thuaän hoaït ñoäng ñoäc laäp (iD = iE; vD = vEB)  
x DCLL vaø Ñaëc tuyeán EB  
VEE  
Re  
1
Re  
DCLL: iE   ꢁ vEB ꢀ  
x Maïch töông ñöông ñôn giaûn  
vE = VEBQ = VJ (0.7V: Silicon;  
0.2V: Germanium)  
rd = 0  
VEE ꢁVEBQ  
IEQ   
Re  
Chöông 2  
3
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
2.2.2 Moái noái Collector – Base (CB)  
Töø quan heä: IC   DIE ꢀ ICBO , maïch töông ñöông cuûa moái noái CB:  
IE  
IC  
IE  
IC  
C
C
E
E
VEBQ  
VEBQ  
DIE  
DIE  
ICBO  
Diode lyù  
töôûng  
IB  
IB  
B
B
VÍ du 1ï: Cho maïch ñieän nhö hình veõ: D | 1, ICBO | 0; VEE = 2V; Re = 1k; VCC = 50V; Rc  
= 20k; vi = 1sinZt. Tính iE vaø vCB.  
Re  
C
E
1
3
VEE ꢀ vi ꢁVEBQ  
B
iE   
  1.3ꢀ1.0sinZt (mA)  
Rc  
Re  
vi  
iE  
VEE  
VCC  
iC  
vCB   ꢁVCC ꢀ RciC   ꢁVCC ꢀ RciE  
E
C
VEE ꢁVEBQ  
Rc  
ꢀ vi  
Re  
vCB   ꢁVCC ꢀ Rc  
Re  
vi  
Rc  
Re  
VEBQ  
vCB   ꢁ24 ꢀ 20sinZt (V)  
Heä soá khueách ñaïi tín hieäu xoay chieàu: Av = 20  
B
VEE  
VCC  
Chöông 2  
4
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
2.3 Khueách ñaïi doøng trong BJT  
D
1ꢁD  
Quan heä giöõa iC vaø iB (boû qua ICBO): iC | E uiB vôùi E   
Heä soá khueách ñaïi tín hieäu nhoû:  
Suy ra:  
'iC   E u 'iB ꢀ 'E uiB  
'iC  
'iB  
'E  
'iB  
  E ꢀ  
iB   hfe  
Xem gaàn ñuùng: hfe | E { hFE  
Löu yù: E cuûa caùc TST cuøng loaïi coù theå thay ñoåi nhieàu theo töøng TST.  
Ví du 2ï: Cho maïch ñieän nhö hình veõ. Xaùc ñònh heä soá khueách ñaïi doøng tín hieäu nhoû.  
9 Caáu hình E chung (CE – Common Emitter configuration)  
9 Transistor npn  
VBB ꢀ vi ꢁVBEQ  
C
iB  
iC  
1
3
x Ngoõ vaøo: iB   
  IBQ ꢀ ib  
2
Rc  
Rb  
B
E
Rb  
vi  
VBB ꢁVBEQ  
vi  
Rb  
vôùi: IBQ   
vaø ib   
Rb  
VCC  
x Ngoõ ra:  
iC | E uiB   E u(IBQ ꢀ ib )   ICQ ꢀ ic  
VBB  
ic  
ib  
Heä soá khueách ñaïi doøng tín hieäu nhoû: A     E  
i
Chöông 2  
5
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
Ñaëc tuyeán VA ngoõ ra caáu hình E chung  
x Vuøng baõo hoøa: vCE d VCEsat  
Quan heä giöõa iC vaø iB laø khoâng tuyeán tính  
x Vuøng chuû ñoäng: VCEsat d vCE d BVCEO  
Quan heä tuyeán tính:  
E
iC   E uiB ꢀ ICBO  
D
Giôùi haïn doøng: IC-cutoff d iC d ICmax  
Ví duï 3: VCC = 10V, Rb = 10K, Rc = 1K. TST: E = 100, VBE = 0.7V, VCEsat = 0.1V. Tìm  
ñieàu kieän laøm vieäc (IC vaø VCE) cuûa TST khi: a) VBB = 1.5V b) VBB = 10.7V  
VBB ꢁVBE  
IB   
; VCE   VCC ꢁ IC Rc  
3
Rb  
Rb  
2
1
Rc  
a) IB = 0.08mA; IC = EIB = 8mA  
VCE = 2V: TST hoaït ñoäng trong vuøng tích cöïc.  
b) IB = 1mA; Giaû söû IC = EIB = 100mA Ÿ VCE = -90 !!!  
TST hoaït ñoäng trong vuøng baõo hoøa: VCE = VCEsat = 0.1  
VBB  
VCC  
VCC ꢁVCE  
10 ꢁ 0.1  
IC   
 
  9.9mA  
Rc  
1K  
Chöông 2  
6
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
Maïch töông ñöông  
ic  
1
1
C
+
vce  
_
hfeib  
R0  
E
2.4 Giaûi tích maïch BJT baèng ñoà thò  
Maïch khueách ñaïi cô baûn  
Maïng phaân cöïc  
RL  
R2  
RL  
B
1
3
R2  
2
VCC  
1
3
2
VCC  
ii  
VCC  
B
1
Rb  
Rb  
ii  
œ
Re  
R1  
Re  
R1  
VBB  
VBB  
Chöông 2  
7
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
x Maïng phaân cöïc (Maïch töông ñöông Thevenin):  
Rb  
R1  
R1 ꢀ R2  
VBB   
VCC  
Thieát keá: R1   
1ꢁVBB /VCC  
VCC  
VBB  
R1R2  
R1 ꢀ R2  
Rb   
R2   Rb  
x Hoaït ñoäng cuûa maïch khueách ñaïi (DC)  
9 Ngoõ ra:  
VCC   vCE ꢀ iC RL ꢀ iE Re  
Vôùi iC = DiE | iE, suy ra: VCC   vCE ꢀ iC (RL ꢀ Re ): DCLL  
9 Ngoõ vaøo:  
VBB ꢁ iB Rb   vBE ꢀ iE Re  
VBB ꢁ vBE  
Re ꢀ (1ꢁD)Rb  
VBB ꢁ vBE  
Boû qua ICBO: iB = (1-D)iE, suy ra: iE   
 
1
Re ꢀ  
Rb  
1ꢀ E  
Ñeå loaïi boû söï thay ñoåi cuûa iE do E thay ñoåi, choïn Re >> Rb/(1+E).  
9 Tónh ñieåm Q (ICQ, VCEQ):  
VBB ꢁVBEQ  
§ RL ·  
ICQ | IEQ   
; VCEQ   VCC ꢁ (VBB ꢁ 0.7)¨1ꢀ ¸  
¨
¸
Re  
Re  
¹
©
Chöông 2  
8
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
x Giaûi tích baèng ñoà thò  
9 Tín hieäu nhoû: ic   iC ꢁ ICQ vaø: vce   vCE ꢁVCEQ  
9 Quan heä pha: ib taêng, ic, ie taêng, vce giaûm  
9 Ñieáu kieän ñeå iC coù theå dao ñoäng cöïc ñaïi (max swing): (Giaû söû VCEsat = 0 vaø  
I
C-cutoff = 0)  
VCC / 2  
R
L
ꢀ Re  
ICQ   
VCEQ   VCC / 2  
Chöông 2  
9
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
Ví duï 4: Tìm Q ñeå coù max swing:  
1
+9V  
DCLL: 9 |VCEQ ꢀ ICQ (1000 ꢀ 200)  
VCC / 2  
R2  
RL  
1k  
Max swing: ICEQ  
=
= 3.75 mA  
RL ꢀ Re  
E = 100  
V
CEQ = VCC / 2 = 4.5 V  
R1  
Re  
200  
Ví duï 5: Tìm R1 vaø R2 trong ví duï 4 ñeå ñaït ñöôïc Max Swing  
1
+9V  
VBQ = VBE + VEQ = VBE + IEQ u Re | VBE + ICQ u Re  
RL  
1k  
1
Choïn Re >> Rb/(1+E), thöôøng choïn: Rb   Re (1ꢀ E ) = 2K  
Rb  
10  
VBB = VRb + VBQ = IBQRb + VBQ | (ICQ/E)(0.1ERe) + VBE + ICQRe  
VBB = VBE + ICQ(1.1Re) = 0.7 + (3.75E-3)(1.1)(200) = 1.525 V  
Rb  
E = 100  
Re  
200  
VBB  
Suy ra: R1   
= 2.4K  
1ꢁVBB /VCC  
VCC  
R2   Rb  
= 11.8K  
VBB  
Chöông 2  
10  
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
2.5 Tính toaùn coâng suaát  
x Coâng thöùc toång quaùt:  
1 T  
1 T  
P   V (t)I(t)dt  
P   (V ꢀ v(t))(I ꢀ i(t))dt  
³
³
av  
av  
T
T
0
0
1 T  
V(t) = Vav + v(t)  
I(t) = Iav + i(t)  
Trong ñoù:Vav, Iav: Giaù trò trung bình  
P   V I ꢀ v(t)i(t)dt  
³
av av  
T
0
v(t), i(t): Thaønh phaàn thay ñoåi  
theo thôøi gian coù trung bình baèng 0.  
x Coâng suaát trung bình tieâu taùn treân taûi (Coâng suaát xoay chieàu)  
1 T  
VCC  
2(RL ꢀ Re )  
P   i2R dt  
MaxSwing: max(Icm) = ICQ =  
³
L,ac  
c L  
T
0
VC2C RL  
8(RL ꢀ Re )2  
Giaû söû ic laø tín hieäu sin: ic = IcmsinZt  
Suy ra: max(PL,ac) =  
Ic2m RL  
PL,ac   
2
Ñeå cöïc ñaïi hoùa coâng suaát tieâu taùn treân taûi:  
Choïn RL >> Re  
VC2C  
Suy ra: max(PL,ac) |  
8RL  
Chöông 2  
11  
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
x Coâng suaát nguoàn cung caáp trung bình  
1 T  
1 T  
VCC  
2(RL ꢀ Re )  
VC2C  
Max Swing: ICQ =  
Suy ra: PCC =  
P   V i dt   V (I ꢀ i )dt  
³
³
CC  
CC C  
CC CQ  
c
T
T
0
0
PCC   VCC ICQ  
2(RL ꢀ Re )  
VC2C  
2RL  
Vôùi RL >> Re: PCC |  
x Coâng suaát trung bình treân Transistor  
1 T  
1 T  
1 T  
1 T  
P   v i dt   
>
V ꢁ (R ꢀ R )i  
@
i dt   V i dt ꢁ (R ꢀ R ) i2 dt  
³
³
³
³
C
CE C  
CC  
L
e C C  
CC C  
L
e
C
T
T
T
T
0
0
0
0
PC   PCC ꢁ PL ꢁ PE : “Baûo toaøn naêng löôïng”  
Ic2m  
2
1 T  
1 T  
2
2
ꢂ
ꢃ
Khai trieån:  
i2 dt   
ICQ ꢀ Icm sinZt dt   ICQ ꢀ  
³
³
C
T
T
0
0
Ic2m  
Suy ra: PC   PCC ꢁ (RL ꢀ Re )IC2Q ꢁ (RL ꢀ Re )  
2
TST tieâu thuï coâng suaát cöïc ñaïi khi khoâng coù tín hieäu:  
Chöông 2  
12  
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
max(PC) = PCC ꢁ  
ꢂ
RL ꢀ Re CQ  
ꢃ
I 2  
VC2C  
VC2C  
Max Swing: max(PC) =  
|
4(RL ꢀ Re ) 4RL  
x Hieäu suaát  
PL,ac  
9 Hieäu suaát: K   
PCC  
Ic2m  
VC2C / 2RL  
ꢂ
RL / 2  
ꢃ
Max Swing: K   
VCC  
2RL  
Hieäu suaát cöïc ñaïi khi Icm cöïc ñaïi: max(Icm) = ICQ |  
(Giaû söû RL >> Re)  
VC2C /8RL  
VC2C / 2RL  
Suy ra: max(K)  
= 0.25  
9 Tyû soá coâng suaát tieâu taùn TST cöïc ñaïi treân coâng suaát taûi xoay chieàu cöïc ñaïi:  
(Thieát keá: Choïn TST coù chæ soá coâng suaát tieâu taùn cöïc ñaïi thích hôïp)  
max(PC ) VC2C / 4RL  
max(PL,ac )  
|
  2:  
VC2C /8RL  
Chöông 2  
13  
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
2.6 Tuï Bypass voâ haïn  
Re: + Taïo doøng phaân cöïc ICQ vaø taêng ñoä oån ñònh phaân cöïc (C3).  
_ Giaûm hieäu suaát; Giaûm heä soá khueách ñaïi ñoái vôùi tín hieäu nhoû xoay chieàu (C4)  
Ÿ Söû duïng tuï bypass (Giaû söû Ceov, ñoái vôùi tín hieäu xoay chieàu: ZC = 1/(jCZ) o 0)  
DCLL: RDC   RL ꢀ Re  
RL  
VCC  
RDC  
1
RDC  
IC   ꢁ  
VCE ꢀ  
iC  
iB  
VCC  
iE  
ACLL: vce   ꢁRLic  
ii  
Rb  
Rac   RL  
Re  
Ce  
1
VBB  
Ÿ ic   ꢁ  
vce (Goác toïa ñoä Q)  
Rac  
“Destiny is what we make”.  
- Anonymous  
Chöông 2  
14  
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
Max Swing: Q trung ñieåm ACLL  
Ÿ VCEQ   ICQ Rac  
Thay vaøo DCLL:  
VCC  
RDC  
1
RDC  
ꢂ
ꢃ
ICQ   ꢁ  
ICQ Rac ꢀ  
VCC  
Ÿ ICQ   
RDC ꢀ Rac  
VCC  
VCEQ  
 
1ꢀ RDC / Rac  
2.7 Tuï gheùp (coupling capacitor) voâ haïn  
Tuï gheùp: Ngaên doøng DC qua taûi.  
DCLL: RDC = Re + Rc  
VCC  
Rc  
ACLL: Rac = Rc // RL  
Cc  
VCC  
Max Swing: ICQ   
RDC ꢀ Rac  
i
C  
iE  
iB  
iL  
VCC  
ii  
Rb  
RL  
VCEQ  
 
1ꢀ RDC / Rac  
VBB  
Re  
Ce  
Rc  
Doøng qua taûi (AC): iL   
ic  
R
L
ꢀ Rc  
Chöông 2  
15  
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
2.8 Maïch Emitter Follower  
VCC  
VCC  
R2  
vB = vBE + vE  
Xem vBE | VBE = 0.7  
vi = vb | ve: “Follower”  
Cb  
Cb  
Rb  
vi  
vi  
Re  
R1  
Re  
vE  
vE  
VBB  
a) Maïch Emitter Follower  
b) Maïch töông ñöông  
VCC  
DCLL: RDC = Re  
ACLL: Rac = Re // RL  
Cb  
Ce  
Rb  
vi  
vL  
Re  
RL  
VBB  
c) Maïch Emitter Follower vôùi taûi AC  
Chöông 2  
16  
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
2.9 Môû roäng  
2.9.1 Maïch phaân cöïc Base – Injection  
Xeùt maïch Emitter Follower vôùi maïch phaân cöïc Base – Injection sau:  
VCC  
x Tính toaùn maïch phaân cöïc:  
Ngoõ vaøo: VCC = VR2 + VBEQ + VRe  
R2  
VCC | R2(ICQ/E) + VBEQ + ReICQ  
VCC ꢁVBEQ  
Cb  
ICQ   
Ce  
ReꢀR2 / E  
Ngoõ ra: VCEQ = VCC - ReICQ  
x Thieát keá maïch phaân cöïc:  
vi  
Re  
vL  
RL  
Choïn tónh ñieåm Q  
VCC ꢁVBEQ ꢁ Re ICQ  
Tính R2 =  
ICQ / E  
Chöông 2  
17  
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ  
2.9.2 Nguoàn cuûa maïch khueách ñaïi  
Coù theå thay ñoåi ñieän aùp nguoàn cung caáp cho maïch khueách ñaïi ñeå thay ñoåi möùc DC  
cuûa ngoõ ra (Vaãn baûo ñaûm TST phaân cöïc ñuùng).  
Ví duï 6: Xeùt maïch CE sau  
+VCC  
DCLL:  
RDC = Rc + Re  
VCC ꢀVEE  
1
RDC  
IC   ꢁ  
VCE ꢀ  
R2  
R1  
Rc  
RDC  
ACLL:  
Rac = Rc + Re  
Cb  
Vôùi tín hieäu ac, caùc nguoàn moät chieàu  
(VCC, VEE) ngaén maïch: Phaân tích nhö  
caùc phaàn tröôùc.  
vo  
vi  
Re  
Ví duï:  
Choïn RCICQ = VCC  
Möùc DC ngoõ ra: v0-DC = 0 (Khoâng caàn  
duøng tuï coupling ngoõ ra)  
-VEE  
Chöông 2  
18  
pdf 18 trang myanh 26920 Free
Bạn đang xem tài liệu "Bài giảng Mạch điện tử 1 - Chương 2: Transistor hai lớp tiếp giáp - BJT", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

File đính kèm:

  • pdfbai_giang_mach_dien_tu_1_chuong_2_transistor_hai_lop_tiep_gi.pdf