Bài giảng Mạch điện tử 1 - Chương 2: Transistor hai lớp tiếp giáp - BJT
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
CHÖÔNG 2: TRANSISTOR HAI LÔÙP TIEÁP GIAÙP - BJT
2.1 Giôùi thieäu
2.2 Doøng chaûy trong BJT
2.3 Khueách ñaïi doøng trong BJT
2.4 Giaûi tích maïch BJT baèng ñoà thò
2.5 Tính toaùn coâng suaát
2.6 Tuï Bypass voâ haïn
2.7 Tuï gheùp voâ haïn
2.8 Maïch Emitter Follower
2.9 Môû roäng
“We make a living by what we get, we make a life by what we give”.
- Winston Churchill, Sir (1874-1965)
Chöông 2
1
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
2.1 Giôùi thieäu
x 1948: Transistor ñaàu tieân (Bell Lab)
x Caùc loaïi transistor (TST): BJT, FET
x BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lôùp tieáp giaùp
2.2 Doøng chaûy trong BJT
x Caáu taïo vaø kyù hieäu
x Doøng chaûy trong BJT
EB: Phaân cöïc thuaän
CB: Phaân cöïc nghòch
IC DIE ꢀ ICBO
IE IB ꢀ IC
IB (1ꢁD)IE ꢁ ICBO
ICBO
1ꢁD
§
¨
©
·
¸
¹
I
I ꢁ
C
B
D
D
D
Ñaët: E
1ꢁD
Löu yù: Caáu hình B chung (CB – Common Base configuration)
Chöông 2
2
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
2.2.1 Moái noái Emitter – Base (EB)
Xem moái noái EB nhö moät Diode phaân cöc thuaän hoaït ñoäng ñoäc laäp (iD = iE; vD = vEB)
x DCLL vaø Ñaëc tuyeán EB
VEE
Re
1
Re
DCLL: iE ꢁ vEB ꢀ
x Maïch töông ñöông ñôn giaûn
vE = VEBQ = VJ (0.7V: Silicon;
0.2V: Germanium)
rd = 0
VEE ꢁVEBQ
IEQ
Re
Chöông 2
3
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
2.2.2 Moái noái Collector – Base (CB)
Töø quan heä: IC DIE ꢀ ICBO , maïch töông ñöông cuûa moái noái CB:
IE
IC
IE
IC
C
C
E
E
VEBQ
VEBQ
DIE
DIE
ICBO
Diode lyù
töôûng
IB
IB
B
B
VÍ du 1ï: Cho maïch ñieän nhö hình veõ: D | 1, ICBO | 0; VEE = 2V; Re = 1k; VCC = 50V; Rc
= 20k; vi = 1sinZt. Tính iE vaø vCB.
Re
C
E
1
3
VEE ꢀ vi ꢁVEBQ
B
iE
1.3ꢀ1.0sinZt (mA)
Rc
Re
vi
iE
VEE
VCC
iC
vCB ꢁVCC ꢀ RciC ꢁVCC ꢀ RciE
E
C
VEE ꢁVEBQ
Rc
ꢀ vi
Re
vCB ꢁVCC ꢀ Rc
Re
vi
Rc
Re
VEBQ
vCB ꢁ24 ꢀ 20sinZt (V)
Heä soá khueách ñaïi tín hieäu xoay chieàu: Av = 20
B
VEE
VCC
Chöông 2
4
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
2.3 Khueách ñaïi doøng trong BJT
D
1ꢁD
Quan heä giöõa iC vaø iB (boû qua ICBO): iC | E uiB vôùi E
Heä soá khueách ñaïi tín hieäu nhoû:
Suy ra:
'iC E u 'iB ꢀ 'E uiB
'iC
'iB
'E
'iB
E ꢀ
iB hfe
Xem gaàn ñuùng: hfe | E { hFE
Löu yù: E cuûa caùc TST cuøng loaïi coù theå thay ñoåi nhieàu theo töøng TST.
Ví du 2ï: Cho maïch ñieän nhö hình veõ. Xaùc ñònh heä soá khueách ñaïi doøng tín hieäu nhoû.
9 Caáu hình E chung (CE – Common Emitter configuration)
9 Transistor npn
VBB ꢀ vi ꢁVBEQ
C
iB
iC
1
3
x Ngoõ vaøo: iB
IBQ ꢀ ib
2
Rc
Rb
B
E
Rb
vi
VBB ꢁVBEQ
vi
Rb
vôùi: IBQ
vaø ib
Rb
VCC
x Ngoõ ra:
iC | E uiB E u(IBQ ꢀ ib ) ICQ ꢀ ic
VBB
ic
ib
Heä soá khueách ñaïi doøng tín hieäu nhoû: A E
i
Chöông 2
5
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
Ñaëc tuyeán VA ngoõ ra caáu hình E chung
x Vuøng baõo hoøa: vCE d VCEsat
Quan heä giöõa iC vaø iB laø khoâng tuyeán tính
x Vuøng chuû ñoäng: VCEsat d vCE d BVCEO
Quan heä tuyeán tính:
E
iC E uiB ꢀ ICBO
D
Giôùi haïn doøng: IC-cutoff d iC d ICmax
Ví duï 3: VCC = 10V, Rb = 10K, Rc = 1K. TST: E = 100, VBE = 0.7V, VCEsat = 0.1V. Tìm
ñieàu kieän laøm vieäc (IC vaø VCE) cuûa TST khi: a) VBB = 1.5V b) VBB = 10.7V
VBB ꢁVBE
IB
; VCE VCC ꢁ IC Rc
3
Rb
Rb
2
1
Rc
a) IB = 0.08mA; IC = EIB = 8mA
VCE = 2V: TST hoaït ñoäng trong vuøng tích cöïc.
b) IB = 1mA; Giaû söû IC = EIB = 100mA VCE = -90 !!!
TST hoaït ñoäng trong vuøng baõo hoøa: VCE = VCEsat = 0.1
VBB
VCC
VCC ꢁVCE
10 ꢁ 0.1
IC
9.9mA
Rc
1K
Chöông 2
6
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
Maïch töông ñöông
ic
1
1
C
+
vce
_
hfeib
R0
E
2.4 Giaûi tích maïch BJT baèng ñoà thò
Maïch khueách ñaïi cô baûn
Maïng phaân cöïc
RL
R2
RL
B
1
3
R2
2
VCC
1
3
2
VCC
ii
VCC
B
1
Rb
Rb
ii
Re
R1
Re
R1
VBB
VBB
Chöông 2
7
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
x Maïng phaân cöïc (Maïch töông ñöông Thevenin):
Rb
R1
R1 ꢀ R2
VBB
VCC
Thieát keá: R1
1ꢁVBB /VCC
VCC
VBB
R1R2
R1 ꢀ R2
Rb
R2 Rb
x Hoaït ñoäng cuûa maïch khueách ñaïi (DC)
9 Ngoõ ra:
VCC vCE ꢀ iC RL ꢀ iE Re
Vôùi iC = DiE | iE, suy ra: VCC vCE ꢀ iC (RL ꢀ Re ): DCLL
9 Ngoõ vaøo:
VBB ꢁ iB Rb vBE ꢀ iE Re
VBB ꢁ vBE
Re ꢀ (1ꢁD)Rb
VBB ꢁ vBE
Boû qua ICBO: iB = (1-D)iE, suy ra: iE
1
Re ꢀ
Rb
1ꢀ E
Ñeå loaïi boû söï thay ñoåi cuûa iE do E thay ñoåi, choïn Re >> Rb/(1+E).
9 Tónh ñieåm Q (ICQ, VCEQ):
VBB ꢁVBEQ
§ RL ·
ICQ | IEQ
; VCEQ VCC ꢁ (VBB ꢁ 0.7)¨1ꢀ ¸
¨
¸
Re
Re
¹
©
Chöông 2
8
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
x Giaûi tích baèng ñoà thò
9 Tín hieäu nhoû: ic iC ꢁ ICQ vaø: vce vCE ꢁVCEQ
9 Quan heä pha: ib taêng, ic, ie taêng, vce giaûm
9 Ñieáu kieän ñeå iC coù theå dao ñoäng cöïc ñaïi (max swing): (Giaû söû VCEsat = 0 vaø
I
C-cutoff = 0)
VCC / 2
Rꢀ Re
ICQ
VCEQ VCC / 2
Chöông 2
9
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
Ví duï 4: Tìm Q ñeå coù max swing:
1
+9V
DCLL: 9 |VCEQ ꢀ ICQ (1000 ꢀ 200)
VCC / 2
R2
RL
1k
Max swing: ICEQ
=
= 3.75 mA
RL ꢀ Re
E = 100
V
CEQ = VCC / 2 = 4.5 V
R1
Re
200
Ví duï 5: Tìm R1 vaø R2 trong ví duï 4 ñeå ñaït ñöôïc Max Swing
1
+9V
VBQ = VBE + VEQ = VBE + IEQ u Re | VBE + ICQ u Re
RL
1k
1
Choïn Re >> Rb/(1+E), thöôøng choïn: Rb Re (1ꢀ E ) = 2K
Rb
10
VBB = VRb + VBQ = IBQRb + VBQ | (ICQ/E)(0.1ERe) + VBE + ICQRe
VBB = VBE + ICQ(1.1Re) = 0.7 + (3.75E-3)(1.1)(200) = 1.525 V
Rb
E = 100
Re
200
VBB
Suy ra: R1
= 2.4K
1ꢁVBB /VCC
VCC
R2 Rb
= 11.8K
VBB
Chöông 2
10
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
2.5 Tính toaùn coâng suaát
x Coâng thöùc toång quaùt:
1 T
1 T
P V (t)I(t)dt
P (V ꢀ v(t))(I ꢀ i(t))dt
³
³
av
av
T
T
0
0
1 T
V(t) = Vav + v(t)
I(t) = Iav + i(t)
Trong ñoù:Vav, Iav: Giaù trò trung bình
P V I ꢀ v(t)i(t)dt
³
av av
T
0
v(t), i(t): Thaønh phaàn thay ñoåi
theo thôøi gian coù trung bình baèng 0.
x Coâng suaát trung bình tieâu taùn treân taûi (Coâng suaát xoay chieàu)
1 T
VCC
2(RL ꢀ Re )
P i2R dt
MaxSwing: max(Icm) = ICQ =
³
L,ac
c L
T
0
VC2C RL
8(RL ꢀ Re )2
Giaû söû ic laø tín hieäu sin: ic = IcmsinZt
Suy ra: max(PL,ac) =
Ic2m RL
PL,ac
2
Ñeå cöïc ñaïi hoùa coâng suaát tieâu taùn treân taûi:
Choïn RL >> Re
VC2C
Suy ra: max(PL,ac) |
8RL
Chöông 2
11
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
x Coâng suaát nguoàn cung caáp trung bình
1 T
1 T
VCC
2(RL ꢀ Re )
VC2C
Max Swing: ICQ =
Suy ra: PCC =
P V i dt V (I ꢀ i )dt
³
³
CC
CC C
CC CQ
c
T
T
0
0
PCC VCC ICQ
2(RL ꢀ Re )
VC2C
2RL
Vôùi RL >> Re: PCC |
x Coâng suaát trung bình treân Transistor
1 T
1 T
1 T
1 T
P v i dt
>
V ꢁ (R ꢀ R )i
@
i dt V i dt ꢁ (R ꢀ R ) i2 dt
³
³
³
³
C
CE C
CC
L
e C C
CC C
L
e
C
T
T
T
T
0
0
0
0
PC PCC ꢁ PL ꢁ PE : “Baûo toaøn naêng löôïng”
Ic2m
2
1 T
1 T
2
2
ꢂ
ꢃ
Khai trieån:
i2 dt
ICQ ꢀ Icm sinZt dt ICQ ꢀ
³
³
C
T
T
0
0
Ic2m
Suy ra: PC PCC ꢁ (RL ꢀ Re )IC2Q ꢁ (RL ꢀ Re )
2
TST tieâu thuï coâng suaát cöïc ñaïi khi khoâng coù tín hieäu:
Chöông 2
12
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
max(PC) = PCC ꢁ
ꢂ
RL ꢀ Re CQ
ꢃ
I 2
VC2C
VC2C
Max Swing: max(PC) =
|
4(RL ꢀ Re ) 4RL
x Hieäu suaát
PL,ac
9 Hieäu suaát: K
PCC
Ic2m
VC2C / 2RL
ꢂ
RL / 2
ꢃ
Max Swing: K
VCC
2RL
Hieäu suaát cöïc ñaïi khi Icm cöïc ñaïi: max(Icm) = ICQ |
(Giaû söû RL >> Re)
VC2C /8RL
VC2C / 2RL
Suy ra: max(K)
= 0.25
9 Tyû soá coâng suaát tieâu taùn TST cöïc ñaïi treân coâng suaát taûi xoay chieàu cöïc ñaïi:
(Thieát keá: Choïn TST coù chæ soá coâng suaát tieâu taùn cöïc ñaïi thích hôïp)
max(PC ) VC2C / 4RL
max(PL,ac )
|
2:
VC2C /8RL
Chöông 2
13
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
2.6 Tuï Bypass voâ haïn
Re: + Taïo doøng phaân cöïc ICQ vaø taêng ñoä oån ñònh phaân cöïc (C3).
_ Giaûm hieäu suaát; Giaûm heä soá khueách ñaïi ñoái vôùi tín hieäu nhoû xoay chieàu (C4)
Söû duïng tuï bypass (Giaû söû Ceov, ñoái vôùi tín hieäu xoay chieàu: ZC = 1/(jCZ) o 0)
DCLL: RDC RL ꢀ Re
RL
VCC
RDC
1
RDC
IC ꢁ
VCE ꢀ
iC
iB
VCC
iE
ACLL: vce ꢁRLic
ii
Rb
Rac RL
Re
Ce
1
VBB
ic ꢁ
vce (Goác toïa ñoä Q)
Rac
“Destiny is what we make”.
- Anonymous
Chöông 2
14
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
Max Swing: Q trung ñieåm ACLL
VCEQ ICQ Rac
Thay vaøo DCLL:
VCC
RDC
1
RDC
ꢂ
ꢃ
ICQ ꢁ
ICQ Rac ꢀ
VCC
ICQ
RDC ꢀ Rac
VCC
VCEQ
1ꢀ RDC / Rac
2.7 Tuï gheùp (coupling capacitor) voâ haïn
Tuï gheùp: Ngaên doøng DC qua taûi.
DCLL: RDC = Re + Rc
VCC
Rc
ACLL: Rac = Rc // RL
Cc
VCC
Max Swing: ICQ
RDC ꢀ Rac
i
iE
iB
iL
VCC
ii
Rb
RL
VCEQ
1ꢀ RDC / Rac
VBB
Re
Ce
Rc
Doøng qua taûi (AC): iL
ic
Rꢀ Rc
Chöông 2
15
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
2.8 Maïch Emitter Follower
VCC
VCC
R2
vB = vBE + vE
Xem vBE | VBE = 0.7
vi = vb | ve: “Follower”
Cb
Cb
Rb
vi
vi
Re
R1
Re
vE
vE
VBB
a) Maïch Emitter Follower
b) Maïch töông ñöông
VCC
DCLL: RDC = Re
ACLL: Rac = Re // RL
Cb
Ce
Rb
vi
vL
Re
RL
VBB
c) Maïch Emitter Follower vôùi taûi AC
Chöông 2
16
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
2.9 Môû roäng
2.9.1 Maïch phaân cöïc Base – Injection
Xeùt maïch Emitter Follower vôùi maïch phaân cöïc Base – Injection sau:
VCC
x Tính toaùn maïch phaân cöïc:
Ngoõ vaøo: VCC = VR2 + VBEQ + VRe
R2
VCC | R2(ICQ/E) + VBEQ + ReICQ
VCC ꢁVBEQ
Cb
ICQ
Ce
ReꢀR2 / E
Ngoõ ra: VCEQ = VCC - ReICQ
x Thieát keá maïch phaân cöïc:
vi
Re
vL
RL
Choïn tónh ñieåm Q
VCC ꢁVBEQ ꢁ Re ICQ
Tính R2 =
ICQ / E
Chöông 2
17
0ҥFKꢀÿLӋQꢀWӱꢀꢁ
2.9.2 Nguoàn cuûa maïch khueách ñaïi
Coù theå thay ñoåi ñieän aùp nguoàn cung caáp cho maïch khueách ñaïi ñeå thay ñoåi möùc DC
cuûa ngoõ ra (Vaãn baûo ñaûm TST phaân cöïc ñuùng).
Ví duï 6: Xeùt maïch CE sau
+VCC
DCLL:
RDC = Rc + Re
VCC ꢀVEE
1
RDC
IC ꢁ
VCE ꢀ
R2
R1
Rc
RDC
ACLL:
Rac = Rc + Re
Cb
Vôùi tín hieäu ac, caùc nguoàn moät chieàu
(VCC, VEE) ngaén maïch: Phaân tích nhö
caùc phaàn tröôùc.
vo
vi
Re
Ví duï:
Choïn RCICQ = VCC
Möùc DC ngoõ ra: v0-DC = 0 (Khoâng caàn
duøng tuï coupling ngoõ ra)
-VEE
Chöông 2
18
Bạn đang xem tài liệu "Bài giảng Mạch điện tử 1 - Chương 2: Transistor hai lớp tiếp giáp - BJT", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên
File đính kèm:
bai_giang_mach_dien_tu_1_chuong_2_transistor_hai_lop_tiep_gi.pdf

