Một số yếu tố ảnh hưởng đến hàm lượng hạt CeO₂ và CuO trong lớp mạ tổ hợp Ni-CeO₂-CuO trên lá thép không gỉ 430 bằng kỹ thuật mạ dòng xung

Download

Nghiên cứu khoa học công nghệ

MỘT SỐ YẾU TỐ ẢNH HƯỞNG ĐẾN HÀM LƯỢNG HẠT CeO₂VÀ

CuO TRONG LỚP MẠ TỔ HỢP Ni-CeO₂-CuO TRÊN LÁ THÉP

KHÔNG GỈ 430 BẰNG KỸ THUẬT MẠ DÒNG XUNG

Mai Văn Phước^1*, Nguyễn Đức Hùng²

Tóm tắt: Lớp mạ tổ hợp Ni-CeO₂-CuO có thể được tạo thành từ dung dịch niken

sun phát với các hạt oxit CeO₂, CuO kích thước nanomet phân tán trong dung dịch

bằng kỹ thuật mạ dòng xung vuông có đảo chiều. Một số thông số của mạ xung như:

mật độ dòng xung trung bình i_tb, tỷ lệ thời gian phân cực anôt/thời gian phân cực

catôt (), tỷ lệ mật độ dòng anôt/mật độ dòng catôt (), ảnh hưởng của hàm lượng

hạt CeO₂và CuO trong dung dịch đã ảnh hưởng đến hàm lượng các hạt CeO₂và

CuO trong lớp mạ tổ hợp. Kết quả khảo sát cho thấy, ở chế độ mật độ dòng xung

trung bình i_tb=4 A/dm²,  = 0,2,  = 0,2, f= 100 Hz, hàm lượng hạt trong dung

dịch CeO₂5g/L, CuO 5 g/L sẽ thu được lớp mạ tổ hợp Ni-CeO₂-CuO có hàm lượng

các hạt CeO₂và CuO trong lớp mạ lớn nhất đạt 37,69 %.

Từ khóa: Mạ tổ hợp; Mạ xung; CeO₂-CuO; Lá thép mạ.

1. MỞ ĐẦU

Kỹ thuật mạ thường sử dụng dòng một chiều, song những thập niên gần đây nhiều đơn vị

cũng đã nghiên cứu áp dụng kỹ thuật mạ dòng xung. Có nhiều dạng xung được sử dụng

trong kỹ thuật điện hóa như xung tam giác, xung răng cưa, xung vuông bậc thang, xung xoay

chiều hình sin liên tục hoặc gián đoạn, đối xứng hoặc bất đối xứng, không có đảo chiều hoặc

có đảo chiều. Tuy nhiên, có hai dạng xung thường được sử dụng rộng rãi đối với quá trình

mạ điện phân là xung vuông thường hoặc xung vuông có đảo chiều (pulse reserve). Kỹ thật

mạ xung sẽ mang lại các lợi thế so với kỹ thuật mạ dòng một chiều là [1-3]:

- Có thể giảm chiều dày lớp khuếch tán nên làm tăng dòng giới hạn khuếch tán cho

phép mạ được ở mật độ dòng lớn hơn, do vậy làm tăng được tốc độ mạ;

- Dòng xung có 1/2 chu kỳ không mạ, thậm chí bề mặt chi tiết bị hòa tan làm quá trình

kết tinh lớp mạ có cấu trúc chặt chẽ hơn nên lớp mạ bằng dòng xung có cơ tính tốt hơn so

với mạ dòng một chiều;

Trong kỹ thuật mạ tổ hợp với các hạt phân tán trong dung dịch điện ly thì mạ bằng

dòng xung có sự thay đổi chiều dày lớp khuếch tán tác động tích cực đến sự vận chuyển

các hạt phân tán đến bề mặt điện cực cũng như quá trình hấp phụ, kết dính và chôn lấp các

hạt bằng dòng mạ [4].

Sơ đồ dạng xung vuông có đảo chiều và các thông số xung được trình bày trong hình 1 [1].

Hình 1. Sơ đồ dạng xung vuông có đảo chiều. T: Độ rộng của xung (thời gian tồn tại của

xung catot); T’: Khoảng cách giữa hai xung (thời gian nghỉ hoặc thời gian tồn tại của

xung anot); : Độ dài của chu kỳ xung; i_c: Mật độ dòng catôt; i_a: Mật độ dòng anôt.

129

Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 57, 10 - 2018

Hóa học & Kỹ thuật môi trường

Khi xung vuông đảo chiều có tác dụng san bằng bề mặt lớp mạ do ở nửa chu kỳ đầu

catôt được kết tủa kim loại, nửa chu kỳ tiếp theo catôt bị đảo thành anôt, sự hòa tan xảy ra,

những chỗ mạ gai, cây bị hoà tan mạnh hơn làm bằng phẳng lớp mạ. Ngược lại anôt ở nửa

chu kỳ đầu xảy ra quá trình hòa tan, nửa chu kỳ tiếp theo anôt bị đảo thành catôt do đó

tránh được hiện tượng thụ động anôt. Các thông số chính quá trình mạ xung vuông có đảo

chiều là tỷ lệ giữa mật độ dòng anôt và catôt β = i_a/i_k; tỷ lệ thời gian xung và thời gian

nghỉ: α = T^'/T; tần số của dòng xung f =1/θ; mật độ dòng trung bình:

i_c T  i_aT

i_c(1   . )

  1

1  

1  





(1)

i_tb



 i_c

 











2. THỰC NGHIỆM

Catot để tạo lớp mạ tổ hợp Ni-CeO₂-CuO là tấm thép không gỉ mác 430 có kích thước:

(20  40  0,2) mm được tẩy sạch dầu mỡ trong dung dịch kiềm và hoạt hóa bề mặt trong

dung HCl 10 %, sau đó tạo lớp mạ niken cấy chân trong dung dịch có thành phần NiCl₂

250 g/L, HCl (d= 1,19) 200 mL/L, mạ ở chế độ mật độ dòng i_k= 5 A/dm², thời gian mạ 2

phút, nhiệt độ 25÷ 30^oC.

Sau khi tạo lớp mạ niken cấy chân, lớp mạ tổ hợp trên nền thép 430 được chế tạo bằng

quá trình mạ điện phân từ dung dịch mạ niken sun phát có thành phần NiSO₄300 g/L,

H₃BO₃30 g/L, natrilaurylsunphat 0,1 g/L, nồng độ hạt CeO₂(2 ÷ 16) g/L, CuO (2 ÷ 16)

g/L. Sử dụng các hạt CeO₂và CuO có kích thước nano mét (50 ÷100) nm, hạt CeO₂được

mua của hãng Richest Goup Ltd, hạt CuO được mua của hãng Nano Global, Thượng Hải,

Trung Quốc. Các hạt CeO₂, CuO được phân tán đều trong dung dịch bằng quá trình siêu

âm trước khi mạ 2 giờ sau đó khuấy trộn liên tục trong dung dịch mạ bằng máy khuấy từ.

Nhiệt độ dung dịch trong quá trình điện phân là 50 ^oC, pH dung dịch được duy trì từ 5,8 ÷

6,0, thời gian mạ 20 phút.

Lớp mạ tổ hợp Ni-CeO₂-CuO trên nền thép 430 được chế tạo bởi quá trình mạ dòng

xung, bằng thiết bị tạo nguồn xung vạn năng tại Viện Hóa học - Vật liệu, với các thông số

mật độ dòng xung trung bình i_tb= (2 ÷ 6) A/dm², tỷ lệ giữa mật độ dòng anôt và mật độ

dòng catôt  = 0,1 ÷ 0,4; tỷ lệ thời gian phân cực anôt/thời gian phân cực catôt α = 0,1 ÷

0,4; tần số f =100 Hz.

Hình thái cấu trúc bề mặt và sự phân bố của các hạt nano oxit trên lớp mạ được xác

định bằng phương pháp chụp ảnh hiển vi điện tử quét SEM. Hàm lượng hạt CeO₂và CuO

trên bề mặt lớp mạ được xác định qua phổ tán xạ năng lượng EDX trên thiết bị JMS

6610LV- JED2300, JEOL, Nhật Bản tại Viện Hóa học - Vật liệu, Viện Khoa học và Công

nghệ Quân sự.

3. KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM VÀ THẢO LUẬN

3.1. Ảnh hưởng của mật độ dòng xung trung bình

Thực hiện chế độ mạ xung ở các mật độ dòng trung bình i_tb= 2; 4; 6 A/dm²; β = 0,2; α

= 0,2; f = 100 Hz, hàm lượng hạt CeO₂và CuO trong dung dịch bằng 10 g/L. Kết quả phân

tích EDX thành phần hạt CeO₂và CuO trên bề mặt lớp mạ được thể hiện trong bảng 1.

Bảng 1. Tổng hàm lượng CeO₂và CuO trên lớp mạ (% khối lượng)

của các mẫu mạ Ni-CeO₂-CuO ở mật độ dòng xung trung bình khác nhau.

Mật độ dòng xung (A/dm²)

Thông số

i_c

i_a

i_tb

i_c

i_a

i_tb

i_c

i_a

i_tb

α = β = 0,2

2,5

0,5

2,0

5,0

1,0

4,0

7,5

1,5

6,0

Hàm lượng hạt

25,46

37,69

32,18

130

M. V. Phước, N. Đ. Hùng, “Một số yếu tố ảnh hưởng … bằng kỹ thuật mạ dòng xung.”

Nghiên ccứu khoa học công nnghhệ

Kết

uả từ bảng 1 cho th

lượng hhạt

uO trên llớ

ích khi mmậ

hí H₂sinnh r

và CuO được chôôn

ao. Ở mật độ dònng

đi. Nguyên nhân

i hạt gắn bám ít, kkhí H₂được giải phó

hơn đẩy các hạt r khỏi điệện ực trước khi chún

khi mật độ dòng điện tăng,, tố

độ khử ion Ni²⁺

CuO và lớp mạ hông tănng o sự khuếch tán c

mặt cat t không ổi.

Ảnh SEM thểể hiện sự ph

Ni-CeO₂₂-CuO tạo bởi ddò

α = 0,2, β = 0,2, = 100 Hzz t

các mẫ này có sự phân bốố k

hợp với các kết quả phần tíích EDX kh

ấ

y với kỹ thuật mạ dòng xung ở mật độ dòng xunng trung bìn

rong lớp mạ đạt 2 ,46 %. Khi i_tbtăng t thì hà

lên 4 A//dm²

mạ tăng lên đạt iá trị lớn nhất bằng 37,69 %.. H ện tượn

độ dòng đủ lớn thì lượng Ni thoát r trên điệ ực nhiều

ở catôt do sự kh ịch thoát ra ít, các hạ

ion H⁺trong dung

ấp và bám tốt vào điện cực, dẫn đến hà lượng hhạt nano trê

ao hơn, i_tb= 6 A/ n trên bề ặt lớp m

dm², hàm lượng hạt r

ở mật độộ dòng t ung bình lớn hơn, n ken giải ph ng nhiề

g bởi sự khửử ion H⁺

à H₂O thho t ra nhiề

được chôn lấp bởi im loại mmạ. Hơn nữa

ăng lên nhưng tốc độ chôn vùii hạt CeO₂v

a CeO₂và CuO từ t ong dungg d ch đến b

ạạ

àà

ềề

2 A/dm²²tổng hàm

ừ

lượng

eO₂và

hể giải t

i lượng

này có

đồng th

ệ

ờờ

ử

rắn CeO₂

lớp mạ

lại giả

trong k

ắ

ề

áá

ủủ

đđ

ịị

ôô

n bố của các hạt CCeO₂và CuO trên b

g xung ở mật độ dòng ttrung bình 2, 4

ong thời gian mạ 0 phút đượ thể hiện trong hìnnh

ác nhau ccủa các ạt CeO₂và CuO trên bề mặt lớớp

thay đổi mật độ dòng trung b nh.

ềề

mặt của cá

mẫu m

A/dm²

cho thấ

ạ và ph

ạạ

ùù

ìì

i_ttb= 2 A/dm²

ình 2. ẢẢn

cá

nh SEM (hình 2) ch

u ở các ật độ dòòn

ưa bị chôn vùi

4 A/dm²²các hạt trên bề mặặt l

i_tb= 4 A

SEM củaa các mẫ

mật độ òng tru

thấy s phân b

. Các hạt CeO₂v

ô ra khỏi nền Ni. Ở mậtt độ dò

p mạ có kích thư c và phân bố đồng đ

ng hạt CeO₂và

dm²i_tb= 6 AA/dm²

mạ tổ hợp Ni-CeO₂-CCuO

ở

g bình khác nhau.

Từ

đồng đ

phần c

ả

ự

ố

các hạt rắn trên bề

CuO được chôn vù

ặt lớp mmạ

vào lớpp m

g xung tr

ềều nhất.

ương đố

, có mộ

ng bìn

ề

àà

ạ

ớ

ớớ

3.2. Ản

hưởng

ủa hàm lư

ợ

uO trong dung dịchh

ình 3. Ảnh hưởngg c

ủ

a tổng

àm lượn

hạt CeO₂và CuO troong dung dịch

đến ttổng hàm lượng CeO₂và CuO trên lớp mạ.

1311

Tạp chí

ghiên c

ứ

u KH&CNN q

ân sự, Số 57, 10 - 22018

Hóa học & Kỹ thuậật mmôi trường

Các

dụng du

(2 ÷ 16) g/L (tỷ l

vòng/p út, nhiệt độ dung ddịc

Hình 3 thể hiện kết quảả p

ẫu mạ được chế ttạo ở chế độ mạ xun

g: i_tb= 4 A/dmm²; α = 0

và CuO trong dung dịch x + yy t

,,2; β = 0,22;

= 100 s

ay đổi t

huấy 60

ửử

ừừ

nng dịch mạ tổng hààm lượng c c hạt Ce

ệ

khối lượợn

giữa hai hạt x/y = 1), thời gia

mạ 20

hút, tốc đđộ

mạ 50 ^oC.

ân tích hàm lượng CeO₂và CuO trên lớ

eO₂và CuO troong dung ịch. Kết quả chụp ảnh S

cho thấy sự phânn b của các hạt rắn ttrên bề mặt lớp mạ t

mạ khi ttha

M bề mmặt lớp m

ơng ứngg v i kết quảả

đổi hàmm

lượng

ạạ

(hình 4

)

ố

ưư

ớớ

chụp th

nh phần.

4 g/L

6 g/L

8 g/LL

10 g/L

12 g/

SEM củaa các mẫ

ở ccác hàm lượ g hạt kh

t quả trên hình 4 nh n thấy khhi mạ bằ

= 0,2;  = 0,2; f 100 Hz khi tổng hàm lượng hạt trong dung dịch

hạt đượ chôn vùi vào lớp ạ thấp, hàm lượn các hạt trong lớp

hàm lư ng hạt t 6 đến 112 /L tổng hàm lượ g các hạt rắắn trong

nhất bằng 37,69 %%. àm lượ g hạt từ 14 đến 16 g/L hàm l

xuống đđạt 18,47 %. Theo c chế của quá trình t

rong đó ggia đoạn III - sự chô lấp các hạt bằng ki

hàm lượng hạt t ong dung dịịch, kỹ t

n, bề mặt vật mạ trở thành anôt có s

oát hydr làm tăn khả năng hhấp phụ h

ch dẫn t i tăng l ợng hạt lên bề mặt

lượng hhạt trong ung dịch tă g quá cao sẽ cản ttrở khả năn

i bị che lấp nhiều diện tích bbề mặt giảm, mật đđộ òng điệ

dro thoá ra nhiều đẩy các hạt ra, tươn tự như mmạ ở mật đ

hạt tronng lớp mạ

t độ dòn anôt/

hế độ xung: i_tb=

hàm lượng hạt CeeO₂₂5 g/L; CuO 5 g/

16 g//L

ình 4. ẢẢn

mạ tổ hợp Ni-CeO₂-

c nhau tro g dịch.

g dòng xung ở chế

CCuO

Từ k

ế

ậ

độ mạ i_tb== 4 A/dm²;

ừ 2 đến 44 g L thì cá

ạ nhỏ. KKhi tăng tổn

ớp mạ đạạt iá trị ca

ợng hạt ttro g lớp m

o lớp mạạ tổ hợp gồ

loại kết tủ đóng va

òn

uật mạ d xung c

thoát oxxy ới lượn

t lên bề mmặt. Sự tăn

o vậy hààm ượng hạ



ạạ

óó

ộộ

ợ

ừ

hơn, lớ

có xu h

ưư

ớng giả

oạn [5],

ạ

ba giai

trò qua

trọng nhất. Khi tăăn

đảo chiều dòng đi

so với khi là catoot t

ng hạt tr ng dungg d

trên lớp mạ tăng ên. Khi hhà

chôn lấ các hạt vì bề mặặt

catot th c tế tăng cao, khíí h

dòng ca

3.3. Ản

quá trìn

giảm 1/

hàm lư

ệ

ự

ớ

ạ

ợợ

ị

ự

làm giả

hàm lưượn

hưởng

của tỷ lệ

ậ

ật độ dòng catôt

A/dm²;  = 0,2; f = 100 Hz; tthờ

; tốc độ khuấy 600 òng/phútt; v

Tiến hành mạ các mẫu

20 phút

ở

ờ

ớ

i gian m

ạạ

i các gi

trị  tha

đổi từ 0,1÷ 0,4.

132

M. V. Phước, N. ĐĐ.

H ò

Hùng, “Một số yếu tốố ảnh hưởng … bằng kỹ thuật mạạ dòng xung.””

Nghiên ccứu khoa học công nnghhệ

Bản

2 trình bày kết phhân tích EDXX thành phhần các hạt CeO₂và

hác nhau.

Bảng

CCuO trên llớpp mạ ở cácc

tỷ lệ 

. Tổng hhà

lượng hạt CeO₂v

CuO trên llớp mạ ở

ác tỷ lệ  k

ác nhau

i_c(A/dm²)

ii_a(

A/dm²) i_tb(A/dm²

)

Tổng hàm lượng

hạt trên lớớp

mmạ (%)



0,1 0,2

0,2 0,2

0,3 0,2

0,4 0,2

4,9

5,0

5,1

5,2

,49

,00

,53

,08

,51

,69

,62

,04

Ở k

Tuy nhi

0,4) vì

đến lớp mạ giảm do khí thhoá

thấy, k i mạ với thông số

oảng giá trị của  từ

n, sự chôn vùi cáác

hi đó mật độ dòngg i_csẽ cao hơn, tốc đ

ra nhiều đẩy các hạt ra khỏi bề mặt, hi

0,3 lớp mạ nhẵ phẳng do k ả năng chôn lấp ccá

ng thí nghiệệm này iá trị  == 0

7,69 %.

,1 ÷ 0,2 lượng h

ạt vào lớp mạ sẽ khó khăn hơn khi tă

kết tủa niken tăng l

ạ

t được chôn vùi vào

ớp mạ đạạt

g  lên ccao nữa (

n trong kkhi lượng hạ

u suất sẽẽ gi m. Nhậ

hạt kém

2 vì hà

ggiá trị lớn.

ộộ

ệ

ảả



≥≥

Khoảng giá trị phù hợp ccủa  = 0,1 ÷ 0,2, tr

lượng C

O₂và CuO trên lớớp

ạ cao nhất bằng

β = 0,2

β =

ng đại 1

hạt ôxit ph

o với bề

Hình 5. Ảnh chụp SEM bề mặt lớp mmạ ở β = 0,2, và β = 00,4 độ ph

óó

0.000 lần.

n bố trê

t mẫu m

Ảnh

bề mặt l

ớớ

EM bề mặt lớp mmạ

p mạ k á đồng đềều, đồng thời có mật

trên hình

cho thấ

, ở giá trị β = 0,2 cá

ộ hạt lớn hơn nhiều

ặ

ạạ

ở giá trị β = 0,4.

3.4. Ản hưởng

Để n hiên cứ

tổ hợp i-CeO₂-CuO, các

= 4 A/d

m²; β = 0,2; f = 1

khuấy 6 0 vòng/phút; giá ttrị

uả phân tích EDXX h

c nhau được thể h

iện trong bảng 3.

Bảng 3. Tổng h

àm lượng hạt CeO₂v

i_c(A/dm²)

i_a(

A/dm²) i_tb(A/dm²

ủa tỷ lệ th

ảnh hưởởng của thông số  t

u mạ được thực h

00 Hz; thời gian mạ 20 phút; nhiệt độ du

thay đổi từ 0,1 ÷ 0,4.

ổ

m lượng hạt CeO₂và CuO trên lớp m khi thayy đổi các giáá

ờ

i gian phân cực

nôt/thời gian phân

i hàm lượngg hạt CeO₂

ện mạ ở chế độ mật độ dòng ttru

ng dịch 550 ^o^oC; tốc đ

ộộ

ực catôt

ớ

và CuOO tr

n lớp m

ạạ

ẫ

ng bình i_tb



Kết

trị  kh

ạ

áá

àà

CuO trên llớp mạ ở

ác tỷ lệ  k

ác nhau

)

Tổng hàm lượng

hạt trên lớớp

mạ (%)



0,1 0,2

0,2 0,2

0,3 0,2

0,4 0,2

4,5

5,0

5,5

6,0

0,9

,48

,69

,16

,63

1,1

1,2

1333

Tạp chí

ghiên c

ứ

u KH&CNN q

ân sự, Số 57, 10 - 22018

Hóa học & Kỹ thuậật mmôi trường

Từ

lượng c

trị  lê

thuật x

của  đ

lên đẩy các hạt r

ết quả trên bảng 33 n

a các hạ CeO₂vàà C

0,4 thì hàm lượnng

ng vuôn có đảo cchi

ng nghĩ với việcc tă

nhiều hhơn nên số hạt bị ch

ủa kim looại tăng, lượng niken kết tủa nhiều hơn, t

t điện cựực iảm, dẫn đến hàm lượng hạt trên lớp m

n sự phâ ố của cá hạt rắn trên bề mặt lớp mạ k

hóng đại 10.000 lầần.

ận thấy khi tăng giá trị của  từ 0,1 đến 0,4 tthì tổng hà

O đạt giá trị lớn hất 37,69 % tại giá tr  = 0,2,, k i tăng gi

ác hạt giiảm mạn còn 12,63 %. Điều này là do ối với k

u, khi ật độ dò g xung trunng bình hông đổii, t ng giá tr

g dòng i_cở chu ỳ mạ lượng hyđro si h ra trênn b mặt tăn

n vùi vào lớp mạ sẽ ít đi. Hơn ữa, khi

ong khi ccác hạt đượ

áá

ỹỹ

ịị



ủ

ị

ề

ồồ

ề

tăng, tố

chuyển

đđ

độ kết

ến bề m

6 thể hi

ặ

ạ

giảm.

Hìnhh

ệ

ânn

hhi thay đổổi

ggiá trị 

ởở

chế độ

 = 0,2

nh 6. Ảnh SEM bềề m

trị  = 0,2 các hhạt

ạt lớn hơn, khi 

ược chôn lấp bị cuuố



0,4

ặ

t của mẫu mạ Ni-

eO₂-CuO ở các giá

rị  khácc n

ng đều, đđồ

loại dài hơ

bố thưaa h

iều này phù hợp với các kết qquả phân tíc

au.

g thời c

, các hạ

n và hà

Ở gi

mật độ

xit phân bố trên

ề mặt lớp mạ khá đ

hời gian hòa tan ki

t mạ dẫn đ n sự phâ

ồồ

óó

,4 ở chu kỳ anôt

không

lượng

đđ

ra khỏi bề mặt v

ậ

ế

eO₂và CuO trên llớp mạ giả

mạnh,

đđ

EDX bề mặt lớp mạ.

. KẾT

UẬN

làm giảm chiều dà

àm giảm sựự thoát k

tổ hợp. B ng kỹ th

g/L, H₃BO₃30 g/L,

đã tạo được lớp mạ tổ hợp NNi-

được tạo raa ở điều iện i_tb= 4

, thời gian mạ 20 ph t, có hàmm lư

đạt 37,69,% khối lượng, các hhạt oxit hân bố kkhá đồng đề

Dòn

duy trì

xung vuông có đđảo chiều c

ật độ h t ở khu vvự catôt, đ

n làm tă g hàm lưượ

h hệ sun phát có t

hà

lượng các hạt CeeO₂₂5 g/L,

trên nền thép 43 . Lớp mạạ tổ hợp Ni-CeO₂-Cu

0,2; β = 0,2; f = 100 Hz; CCu 5 g/L; C O₂5 g/

và CuO trên lớp mạ cao nnhấ

ồ

tác dụn

ng thời

lớp khuuếc

í ở thời ggia

ật mạ ddòn

atrilauryyls

tán, gi

đảo củ

xung t

nphat 0,

eO₂-Cu

/dm², α

ng CeO₂

ữữ

ừừ

ạ

xung n

g hạt trên lớp m

h phần NiSO₄30

uO 5 g/

ạ

ằ

dung dị

g/L, hàmm

ợ

trên bề

mmặt lớp mạ.

TÀI LIỆU TH

M KHẢO

[1]. N

[2]. De

uyễn Đức Hùng ,

7, 40-41.

ny Thi

ameters on the

ctrochim ca Acta 552

[3]. M. Sajjadne ad, H. OOmi

ngs Fabrric

c Researcch

ạ kim loạại bằng

òng điện xung", Tạp chí KHKKTQĐ, Số 6,,

mig, Roon

y Lange & An

lectrocoodepositio

25), 2007, pp. 73

var, M. Javanba

ted unde Pulse

Innovation Vol

reas Bund, "Influe

of mat ix metaal nanocco

2-7371.

ht, A. Mozaafari, "Ch

urrent Condditions",

ce of puuls

platin

posites",,

(

racterizaation of Puree

kel Coat

nternationnal Scholarlyy

, No 8, 20155.

134

M. V. Phước, N. ĐĐ.

ùng, “Một số yếu t

ốố

ỹ

ảnh hưởng … bằng k thuật mạạ dòng xung.””

Nghiên cứu khoa học công nghệ

[4]. M.E. Bahrololoom, R. Sani, "The influence of pulse plating parameters on the

hardness and wear resistance of nickel - alumina composite coatings", Surface &

Coatings Technology (192), 2005, pp. 154 - 163.

[5]. Low C.T.J., Wills R.G.A., Walsh F.C., "Electrodeposition of composite coatings

containing nanoparticles in a metal deposit", Surface & Coatings Technology 201,

2006, pp. 371-383.

ABSTRACT

STUDY OF INFLUENCING FACTORS ONE COMPOSITION OF CeO₂AND CuO

IN Ni-CeO₂-CuO COMPOSITE PLATING ON THE 430 STEEL

BY USING PULSE LPATING

The Ni-CeO₂-CuO plating layer can be fabricated from the solution of nickel

sulphate containing CuO₂, CuO nanoparticles dispersed in solution by reversed

square-wave electroplating. The influence of pulse plating parameters including

average pulse current density i_tb, polarization time anode / polarization time (),

anode current density / cathode current density () , the content of CeO2 and CuO

in the solution the influence of on the content of CeO₂and CuO in the composite

coating were investigated in detail. The results show that the pulse current density

mode of 4 A / dm²,  = 0.2,  = 0.2, f = 100 Hz, particle content of CeO₂5g/L and

CuO 5 g/L will achieve the Ni-CeO₂-CuO composite coating with the highest

content of CeO₂and CuO in 37.69%.

Keywords: Ni electroplating composite; Pulse plating; CeO₂-CuO; Steel plating.

Nhận bài ngày 30 tháng 8 năm 2018

Hoàn thiện ngày 20 tháng 9 năm 2018

Chấp nhận đăng ngày 11 tháng 10 năm 2018

Địa chỉ: ¹Viện Hóa học - Vật liệu, Viện Khoa học và Công nghệ quân sự;

²Viện Công nghệ Môi trường, VAST, 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội.

^*Email: [email protected].

135

Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 57, 10 - 2018

7 trang Mãnh Khiết 13/01/2024 17240 Free

Download

Bạn đang xem tài liệu "Một số yếu tố ảnh hưởng đến hàm lượng hạt CeO₂ và CuO trong lớp mạ tổ hợp Ni-CeO₂-CuO trên lá thép không gỉ 430 bằng kỹ thuật mạ dòng xung", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

File đính kèm:

mot_so_yeu_to_anh_huong_den_ham_luong_hat_ceo_va_cuo_trong_l.pdf